在現(xiàn)代芯片制造工藝中，光刻是非常重要的一個(gè)步驟，其過(guò)程采用類(lèi)似照相機(jī)的原理，光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的掩模版在晶圓上進(jìn)行曝光成像，從而實(shí)現(xiàn)將電路圖轉(zhuǎn)印到晶圓上。在理想情況下，晶圓上的成像圖形會(huì)與掩模版上的布局設(shè)計(jì)完全一樣。但是，當(dāng)掩模版圖形的關(guān)鍵尺寸小于曝光波長(zhǎng)的時(shí)候，由于衍射效應(yīng)晶圓上的成像會(huì)失真，從而與掩模版的布局圖形不是很吻合，此時(shí)就需要計(jì)算光刻O(píng)PC(Optical Proximity Correction)技術(shù)對(duì)掩模版的圖形進(jìn)行修正，從而保證印在晶圓上的圖形符合最初的設(shè)計(jì)。
東方晶源從創(chuàng)立之初便聚焦計(jì)算光刻領(lǐng)域，推出PanGen平臺(tái)。經(jīng)過(guò)近十年的發(fā)展PanGen已經(jīng)成為集合精確的制程仿真、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT及SMO等完整功能鏈條的平臺(tái)。同時(shí)，通過(guò)豐富、大量的產(chǎn)線(xiàn)應(yīng)用，東方晶源已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)計(jì)算光刻領(lǐng)域的開(kāi)拓者、領(lǐng)導(dǎo)者。近期，結(jié)合產(chǎn)業(yè)應(yīng)用及發(fā)展痛點(diǎn)，東方晶源推出兩款新產(chǎn)品PanGen DMC和PanGen dFO。本文將對(duì)其中之一的PanGen dFO的研發(fā)背景、應(yīng)用及成果進(jìn)行詳細(xì)介紹。
晶圓廠(chǎng)在進(jìn)行OPC時(shí)，會(huì)針對(duì)具體技術(shù)節(jié)點(diǎn)各工藝層版圖的特性，開(kāi)發(fā)OPC Recipe，例如針對(duì)28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)金屬層的OPC Recipe。OPC Recipe本質(zhì)上是一系列優(yōu)化策略和參數(shù)的設(shè)置，能夠?qū)⑤斎氲恼麄€(gè)工藝層的原始版圖轉(zhuǎn)化為可以在硅片上按設(shè)想形貌成像的掩模版圖形。OPC Recipe在開(kāi)發(fā)時(shí)會(huì)考慮該技術(shù)節(jié)點(diǎn)下多樣化的圖形輸入，并對(duì)設(shè)計(jì)版圖實(shí)施OPC優(yōu)化之后進(jìn)行光刻仿真檢測(cè)(LRC)，如果檢測(cè)發(fā)現(xiàn)有壞點(diǎn)，則對(duì)OPC Recipe進(jìn)行迭代改進(jìn)，從而盡可能的使OPC Recipe可以完全應(yīng)對(duì)各種設(shè)計(jì)版圖。當(dāng)OPC Recipe確定后，就會(huì)從晶圓廠(chǎng)的研發(fā)部門(mén)轉(zhuǎn)移到量產(chǎn)部門(mén)，投入到大規(guī)模生產(chǎn)中。
但是金無(wú)足赤，器無(wú)完器，實(shí)踐中OPC Recipe可能并不能很好的覆蓋一些版圖的某些位置的圖案，其輸出的掩模版圖形無(wú)法給出預(yù)期成像結(jié)果，從而產(chǎn)生壞點(diǎn)(Hot Spot)，影響最終芯片良率，這是晶圓廠(chǎng)需要面對(duì)的實(shí)際痛點(diǎn)問(wèn)題。此時(shí)就需要根據(jù)光刻仿真檢測(cè)(LRC)的反饋，對(duì)該處掩模版圖形做局部的修改，即Mask Repair。
Mask Repair能有效的幫助OPC工程師消除壞點(diǎn)，但是有可能對(duì)mask局部修改過(guò)大，導(dǎo)致該處圖形形狀極端，從而對(duì)掩模版制造的工藝擾動(dòng)過(guò)于敏感，產(chǎn)生新的問(wèn)題;并且有些情況下，設(shè)計(jì)版圖的形貌天然就會(huì)導(dǎo)致該處成像質(zhì)量較差，此時(shí)反復(fù)迭代Repair Mask就很難收斂到一個(gè)比較理想的結(jié)果 !
東方晶源在現(xiàn)有的計(jì)算光刻平臺(tái)PanGen 基礎(chǔ)之上，創(chuàng)新性的把局部Mask Repair拓展到局部的Design微調(diào)，推出PanGen dFO(defect free OPC)產(chǎn)品，以一種遞進(jìn)式的策略，持續(xù)自動(dòng)查缺補(bǔ)漏，可提供更徹底的OPC解決方案。實(shí)踐中針對(duì)全芯片光刻仿真檢測(cè)(LRC)發(fā)現(xiàn)的壞點(diǎn)，首先采用局部Mask Repair 的辦法，如果能直接解決，則針對(duì)該壞點(diǎn)的處理結(jié)束。如果不能解決，則通過(guò)局部自動(dòng)微調(diào)設(shè)計(jì)的方式來(lái)解決該壞點(diǎn)。例如開(kāi)始有1000個(gè)壞點(diǎn)，可能有相當(dāng)一部分已經(jīng)在第一步局部Mask Repair的過(guò)程中被解決，只有剩下少部分壞點(diǎn)會(huì)進(jìn)入下一步局部微調(diào)設(shè)計(jì)的步驟中。
根據(jù)光刻仿真反饋局部自動(dòng)微調(diào)設(shè)計(jì)版圖，對(duì)整個(gè)設(shè)計(jì)的改動(dòng)微乎其微，對(duì)芯片設(shè)計(jì)本身的功能不會(huì)有影響，但是對(duì)實(shí)際的光刻卻能產(chǎn)生非常正面的幫助，屬于四兩撥千斤，針對(duì)某些頑固壞點(diǎn)可以起到撥云見(jiàn)日的效果。如下圖所示，0.2 nm 的Design自動(dòng)微調(diào)，成效顯著：
下面測(cè)試實(shí)例基于28nm節(jié)點(diǎn)一個(gè)4000um * 4500um完整RISC-V芯片M2層，可以看出通過(guò)PanGen dFO的持續(xù)改進(jìn)，壞點(diǎn)數(shù)量有了非常顯著的減少。
OPC在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)揮著極其關(guān)鍵的戰(zhàn)略樞紐作用，如果沒(méi)有OPC所有先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的晶圓廠(chǎng)將失去將芯片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為芯片產(chǎn)品的能力，但難解的壞點(diǎn)就像晴天上的幾朵烏云，制約著OPC Recipe更普適的發(fā)揮作用，從而影響晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和良率。PanGen dFO基于東方晶源已有的技術(shù)要素，創(chuàng)新性的將局部Mask Repair和局部的Design微調(diào)遞進(jìn)式的整合在一起，持續(xù)查缺補(bǔ)漏，化解OPC Recipe 難解的頑固壞點(diǎn)，撥云見(jiàn)日，為晶圓廠(chǎng)更高效的提升良率提供更多助力!
（來(lái)源：東方晶源）
