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2021中國(guó)智造「金長(zhǎng)城」獎(jiǎng)揭曉,派恩杰半導(dǎo)體獲評(píng)“年度最具成長(zhǎng)性企業(yè)”

ainet.cn   2021年10月15日

  2021年10月12日,《21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道》主辦的“2021中國(guó)智造業(yè)年會(huì)”會(huì)上,揭曉了“2021中國(guó)智造「金長(zhǎng)城」獎(jiǎng)”的評(píng)選結(jié)果。派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)派恩杰半導(dǎo)體)憑借全球領(lǐng)先的SiC功率器件技術(shù)喜獲“「金長(zhǎng)城」獎(jiǎng)-年度最具成長(zhǎng)性企業(yè)”殊榮。

派恩杰喜獲“「金長(zhǎng)城」獎(jiǎng)-年度最具成長(zhǎng)性企業(yè)”

  正如派恩杰半導(dǎo)體總裁黃興先生在本屆中國(guó)制造業(yè)年會(huì)-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的顛覆式創(chuàng)新圓桌討論所分享的那樣,中國(guó)在以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料,與國(guó)際企業(yè)的差距最大,到砷化鎵(GaAs)代表的第二代半導(dǎo)體材料已經(jīng)有突破的跡象,而在以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料方面則有追趕和超車(chē)的良機(jī)。派恩杰半導(dǎo)體剛好趕上了這一時(shí)機(jī),潛心研發(fā),開(kāi)發(fā)出了可以與國(guó)際企業(yè)一爭(zhēng)高下的高性能SiC功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品將應(yīng)用于服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、5G物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)、逆變器等領(lǐng)域,目前已有一些全球一線(xiàn)客戶(hù)導(dǎo)入使用。派恩杰半導(dǎo)體表示,將會(huì)持續(xù)投入和加強(qiáng)自主研發(fā)能力,不斷帶給客戶(hù)先進(jìn)SiC技術(shù)和方案,幫助客戶(hù)創(chuàng)新產(chǎn)品、改善產(chǎn)品、提升產(chǎn)品。

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