據(jù)2021深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM展)主辦方公布的信息，第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和方案商派恩杰半導(dǎo)體已確定參展，展位號(hào)E43。
成立于2018年9月的派恩杰半導(dǎo)體，目前已是國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。2019年3月，派恩杰成立僅6個(gè)月即發(fā)布了第一款可兼容驅(qū)動(dòng)650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級(jí)MOS以及用于車載充電機(jī)的650V車規(guī)級(jí)MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車規(guī)級(jí)MOS，應(yīng)用于電動(dòng)汽車電驅(qū)單管及模塊。經(jīng)第三方機(jī)構(gòu)&全球一線客戶實(shí)機(jī)測(cè)試驗(yàn)證， 其SiC肖特基二極管具備高浪涌電流耐量和更低的VF，保證安全性能同時(shí)降低損耗，其SiC MOS HDFM 值優(yōu)于行業(yè)水平50%以上，具備更小的損耗，更優(yōu)的綜合性能。
據(jù)派恩杰方面介紹，此次PCIM展，派恩杰將攜50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件亮相。同時(shí)將會(huì)向現(xiàn)場(chǎng)觀眾展示其最新的高壓工業(yè)輔助電源、SiC MOSFET動(dòng)態(tài)性能評(píng)估板、SiC MOSFET Buck/Boost評(píng)估板、Totem-Pole PFC DEMO等。目前，這些產(chǎn)品在海內(nèi)外都已經(jīng)被一些一線客戶導(dǎo)入使用。
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