據(jù)外媒報道，碳化硅功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC公司推出九個750V SiC器件，其中導(dǎo)通電阻可低至6mΩ。這些器件為電動汽車的傳動系統(tǒng)提供了優(yōu)勢。
（圖片來源：unitedsic）
新750V SiC FET系列的額定值為 6、9、11、23、33和44mΩ，并采用TO-247-4L 封裝。18、23、33、44和60mΩ器件也采用更傳統(tǒng)的TO-247-3L封裝。
該公司表示，該系列已于去年12月推出18和60mΩ750V器件。新擴(kuò)展產(chǎn)品與這些現(xiàn)有器件相輛相成，為設(shè)計人員提供了更多的選擇，實現(xiàn)了更大的設(shè)計靈活性，以獲得最佳成本/效率權(quán)衡，同時保持充足的設(shè)計裕度和電路穩(wěn)健性。
UnitedSiC的第4代SiC FET是SiC JFET和共同封裝的硅MOSFET的“共源共柵”（cascode）?？偟膩碚f，能夠提供寬帶隙技術(shù)的全部優(yōu)勢：高速、低損耗和高溫操作，同時保持簡單、穩(wěn)定和強(qiáng)勁的柵極驅(qū)動，并具有集成ESD保護(hù)。
這些優(yōu)勢通過品質(zhì)因數(shù)（FoMs）進(jìn)行量化，例如導(dǎo)通電阻RDS(on) x A，這是衡量單位晶粒面積的傳導(dǎo)損耗的指標(biāo)。第四代SiC FET在高和低晶粒溫度下，都達(dá)到了據(jù)稱是市場上的最低值。FoM RDS(on) x EOSS/QOSS在硬開關(guān)應(yīng)用中很重要，據(jù)估計是最接近的競爭產(chǎn)品的一半。 FoM RDS(on) x COSS(tr)在軟開關(guān)應(yīng)用中很重要，UnitedSiC聲稱，其器件成本比額定電壓為650V的競爭器件低約30%，而UnitedSiC器件的額定電壓為750V。
對于硬開關(guān)應(yīng)用，SiC FET的集成體二極管在恢復(fù)速度和正向壓降方面，優(yōu)于競爭對手Si MOSFET或 SiC MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)的其他優(yōu)勢是，使用先進(jìn)的晶圓減薄技術(shù)和銀燒結(jié)晶粒連接，降低晶粒與外殼之間的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)最大功率輸出，以實現(xiàn)低晶粒溫升。
這些設(shè)備旨在用于電動汽車中的牽引驅(qū)動器、車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器和AC-DC（或DC-DC）電源轉(zhuǎn)換中所有階段的單向和雙向電力轉(zhuǎn)換。
第四代750V SiC器件的價格不等，如UJ4C075044K3S為4.15美元，UJ4SC075006K4S為23.46美元。
（轉(zhuǎn)載）
