半導(dǎo)體

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)滾雪球式成長(zhǎng),威脅韓廠霸主地位

ainet.cn   2025年02月11日
英國(guó)金融時(shí)報(bào)(FT)報(bào)導(dǎo),中國(guó)記憶芯片大廠長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正迅速攻占全球市場(chǎng),蠶食南韓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的地盤,繼大陸人工智能(AI)新秀DeepSeek崛起之后,進(jìn)一步強(qiáng)化北京在AI先進(jìn)領(lǐng)域擺脫外國(guó)技術(shù)的進(jìn)展。

據(jù)深圳顧問公司前瞻產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),在全球規(guī)模900億美元的DRAM市場(chǎng),長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)市占率從2020年接近于零增至去年的5%。分析師預(yù)測(cè),其增速可能「滾雪球式」擴(kuò)大。

FT指出,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也率大陸之先進(jìn)軍高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)市場(chǎng)。HBM是運(yùn)作AI系統(tǒng)的重要元件。

知情人士透露,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前在上海附近建設(shè)一座28萬平方米的晶圓制造廠,將納入生產(chǎn)HBM2產(chǎn)能。SK海力士計(jì)劃今年開始量產(chǎn)的HBM4,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)品落后兩代。

不過,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)擴(kuò)大HBM2產(chǎn)能預(yù)料將進(jìn)一步加劇對(duì)三星電子的壓力,三星仍在設(shè)法通過輝達(dá)嚴(yán)格的測(cè)試,以爭(zhēng)取HBM供應(yīng)商的資格。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的崛起已威脅到三星、SK海力士、美光(Micron)在DRAM稱霸的地位。2023年,單單這三家公司合計(jì)便占DRAM市場(chǎng)96%的營(yíng)收。

野村亞太證券研究主管 CW Chung 說:「這不是技術(shù)優(yōu)勢(shì)的問題,而是產(chǎn)量的問題;也就是說,三星尤其受到供應(yīng)過剩和芯片價(jià)格下跌的嚴(yán)重沖擊?!?/span>

野村指出,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)積極擴(kuò)大DDR4的產(chǎn)量,已從2022年每月7萬片晶圓,達(dá)到去年每月20萬片,足以取得全球DRAM市場(chǎng)15%的市占率。

根據(jù)顧問公司SemiAnalysis的資料,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)去年也開始量產(chǎn)DDR5。DDR5是由南韓SK海力士于2020年率先商業(yè)化,目前是DRAM中最先進(jìn)的類別。

顧問公司TechInsights副董事長(zhǎng)G Dan Hutcheson指出,盡管長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的全球市占率相對(duì)較小,且主要集中在中國(guó)大陸,但在高度商品化的DRAM領(lǐng)域的快速進(jìn)展,造成了「滾雪球效應(yīng)」。

Hutcheson說:「市占率越高,產(chǎn)量就越大,良率也越高,成本隨之降低,進(jìn)而再度提升市場(chǎng)占有率,」「這正是南韓在1980年代和1990年代將日本逼出存儲(chǔ)器市場(chǎng)的方式,而現(xiàn)在同樣情況發(fā)生在南韓身上。」

分析師指出,自2023年以來,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也利用了美國(guó)出口管制中的漏洞取得美國(guó)先進(jìn)的芯片制造設(shè)備,用來生產(chǎn)其最先進(jìn)的芯片。此外,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)去年被美國(guó)商務(wù)部移出黑名單外,如今得以和美國(guó)業(yè)者續(xù)有生意往來。

 

(來源 存儲(chǔ)世界world)

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