量測設(shè)備有以下9類
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1.關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備
通過對電子束顯微圖像進(jìn)行關(guān)鍵尺寸量測，實現(xiàn)關(guān)鍵工藝參數(shù)的監(jiān)控，是芯片制造過程中質(zhì)量控制的關(guān)鍵設(shè)備。
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2.電子束關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備
通過先進(jìn)的電子束成像系統(tǒng)和高速硅片傳輸方案，搭配精準(zhǔn)的量測算法，實現(xiàn)高重復(fù)精度、高分辨率及高產(chǎn)能的關(guān)鍵尺寸量測。
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3.套刻精度量測設(shè)備
主要用于確保不同層級電路圖形，和同一層電路圖形的正確對齊和放置。
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4.晶圓介質(zhì)薄膜量測設(shè)備
通過為各種薄膜層提供高精度薄膜測量，在低于7nm的邏輯和前沿存儲器設(shè)計節(jié)點上實現(xiàn)嚴(yán)格的工藝公差。
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5.X光量測設(shè)備
可對高級3D NAND和DRAM芯片中使用的高深寬比結(jié)構(gòu)進(jìn)行高分辨率、快速、準(zhǔn)確、精確、無損的3D形狀測量，還可用于監(jiān)測和控制大批量生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵工藝步驟，以確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性。
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6.晶圓金屬薄膜量測設(shè)備
為32nm及以上的節(jié)點提供薄膜厚度、折射率、應(yīng)力和成分的測量，幫助晶圓廠鑒定和監(jiān)測各種薄膜層。
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7.三維形貌量測設(shè)備
主要應(yīng)用于晶圓上的納米級三維形貌測量、雙/多層薄膜厚度測量、關(guān)鍵尺寸和偏移量測量，配合圖形晶圓智能化特征識別和流程控制、晶圓傳片和數(shù)據(jù)通訊等自動化平臺。
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8.薄膜膜厚量測設(shè)備
主要應(yīng)用于晶圓上納米級的單/多層膜的膜厚測量，采用橢圓偏振技術(shù)和光譜反射技術(shù)實現(xiàn)高精度薄膜膜厚、n-k值的快速測量。
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9.3D曲面玻璃量測設(shè)備
主要應(yīng)用于3D曲面玻璃等構(gòu)件的輪廓、弧高、厚度、尺寸測量，采用光譜共焦技術(shù)，實現(xiàn)高精度、高速度的非接觸式測量。搭載可配置的全自動測量軟件工具和完整的測試及結(jié)果分析界面。
檢測設(shè)備主要有以下5類
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1.納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備
主要應(yīng)用于缺陷發(fā)現(xiàn)、制程弱點發(fā)現(xiàn)、制程調(diào)試、工程分析、生產(chǎn)線監(jiān)控、制程窗口發(fā)現(xiàn)。
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2.掩膜版缺陷檢測設(shè)備
零缺陷光罩（也稱為光掩?；蜓谀＃┦菍崿F(xiàn)芯片制造高良率的關(guān)鍵因素之一，因為光罩上的缺陷或圖案位置錯誤會被復(fù)制到產(chǎn)品晶圓上面的許多芯片中。主要應(yīng)用于光罩認(rèn)證，光罩工藝控制，光罩工藝設(shè)備監(jiān)控，出廠光罩質(zhì)量檢查。
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3.無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備
主要應(yīng)用于硅片的出廠品質(zhì)管控、晶圓的入廠質(zhì)量控制、半導(dǎo)體制程工藝和設(shè)備的污染監(jiān)控。該系列的設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)無圖形晶圓表面的缺陷計數(shù)，識別缺陷的類型和空間分布。
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4.圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備
主要應(yīng)用于晶圓表面亞微米量級的二維、三維圖形缺陷檢測，能夠?qū)崿F(xiàn)在圖形電路上的全類型缺陷檢測。擁有多模式明/暗照明系統(tǒng)、多種放大倍率鏡頭，適應(yīng)不同檢測精度需求，能夠?qū)崿F(xiàn)高速自動對焦，可適用于面型變化較大翹曲晶圓。
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5.電子束缺陷檢測設(shè)備
主要應(yīng)用于缺陷成像、在線自動缺陷分類和性能管理、裸片晶圓出廠和入廠質(zhì)量控制、晶圓處置、制程弱點發(fā)現(xiàn)、缺陷發(fā)現(xiàn)、EUV光刻檢查、制程窗口發(fā)現(xiàn)、制程窗口認(rèn)證、晶圓斜面邊緣檢視。
（來源芯小虎）
