● 助力工程師開發(fā)系統(tǒng)尺寸減半且效率超過 95% 的交流/直流解決方案，從而簡化散熱設計
● 全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構
近日， 德州儀器 (TI)(NASDAQ 代碼：TXN)發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET) 全系列產(chǎn)品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
德州儀器高電壓電源部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示：“如今，消費者需要更小、更輕、更便攜，同時還能快速充電的高能效電源適配器。借助我們發(fā)布的新品，設計人員可將低功耗 GaN 技術的功率密度優(yōu)勢應用到更多消費者日常使用的產(chǎn)品中，如手機和筆記本電腦適配器、電視電源裝置和 USB 墻壁插座。此外，德州儀器的產(chǎn)品組合還能滿足電動工具和服務器輔助電源等工業(yè)系統(tǒng)對高效率緊湊型設計日益增長的需求?！?/FONT>
帶集成柵極驅動器的全新 GaN FET 產(chǎn)品組合包括 LMG3622、LMG3624 和 LMG3626，提供業(yè)界超精確的集成電流檢測功能。與使用分立式 GaN 和硅 FET 的傳統(tǒng)電流檢測電路相比，由于集成電流檢測功能，無需再連接外部分流電阻器，同時可將相關功率損耗降低高達 94%，幫助設計人員大幅提高效率。
大幅提高能效并簡化散熱設計
TI 帶集成柵極驅動器的 GaN FET 可實現(xiàn)更快的開關速度，有助于防止適配器過熱;還支持設計人員將小于 75W 的交流/直流應用的系統(tǒng)效率提升至 94%，將大于 75W 的交流/直流應用的系統(tǒng)效率提升至 95% 以上。與硅基解決方案相比，我們的全新器件可幫助設計人員將典型 67W 電源適配器解決方案的尺寸縮小多達 50%。
該產(chǎn)品組合還針對交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構(如準諧振反激式、非對稱半橋反激式、電感-電感轉換器、圖騰柱功率因數(shù)校正和有源鉗位反激式)進行了優(yōu)化。
長期投資氮化鎵制造
德州儀器的自有制造歷史悠久、遍及全球且呈現(xiàn)區(qū)域多元化的特點，在全球 15 個制造基地中包括多家晶圓制造廠、封裝測試廠以及凸點加工廠和晶圓測試廠。十年多來，德州儀器一直致力于研究與發(fā)展氮化鎵技術。
德州儀器計劃到 2030 年自有制造 90% 以上的產(chǎn)品，因此，在未來數(shù)十年內(nèi)能為客戶提供更可靠的產(chǎn)能。
封裝和供貨情況
TI.com/GaN 現(xiàn)已提供可量產(chǎn)的 LMG3622 和 LMG3626 器件和預量產(chǎn)的 LMG3624 器件。
● 器件采用 8mm x 5.3mm、38 引腳 Quad Flat No-lead 封裝
● 支持多種付款方式和發(fā)貨方式
● 此外，還提供不帶集成電流檢測功能的引腳對引腳器件 LMG3612 和 LMG3616
（德州儀器）
