2023年6月28日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE：6723)今日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動器(CKD)和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動器(RCD)。憑借這些全新驅(qū)動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊(DIMM)、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。
DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM(SODIMM)、非緩沖DIMM(UDIMM)、高性能游戲DIMM，以及客戶端平臺的焊接式存儲應(yīng)用相連接的產(chǎn)品。瑞薩的第3代DDR5 RCD專為寄存DIMM(RDIMM)而設(shè)計(jì)。
Balaji Kanigicherla, Corporate Vice President and General Manager of the Advanced Mixed Signal and ASIC Solutions Division at Renesas表示：“作為業(yè)界卓越的存儲接口產(chǎn)品供應(yīng)商，瑞薩不斷推動存儲生態(tài)系統(tǒng)向性能和功耗的前沿領(lǐng)域邁進(jìn)。瑞薩在DDR5接口規(guī)范的定義和實(shí)施領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的重要作用，并將繼續(xù)作為優(yōu)秀的SOC和DRAM廠商在DIMM和系統(tǒng)級領(lǐng)域的重要合作伙伴。”
Dr. Dimitrios Ziakas, Vice President of Memory and IO Technologies at Intel表示：“英特爾?至強(qiáng)?平臺旨在為存儲密集型應(yīng)用提供支持，例如基于深度學(xué)習(xí)和機(jī)器學(xué)習(xí)的預(yù)測性分析。客戶端時(shí)鐘驅(qū)動器作為一項(xiàng)新的行業(yè)舉措，旨在進(jìn)一步增強(qiáng)客戶端DIMM。 第3代RCD是存儲行業(yè)一個(gè)重要里程碑，有助于滿足我們數(shù)據(jù)中心客戶的帶寬和容量擴(kuò)展需求。瑞薩和英特爾一直同業(yè)界攜手，幫助確?？蛻舳藭r(shí)鐘驅(qū)動器和第三代RCD的規(guī)范與實(shí)施，從而滿足市場需求。”
CKD在主機(jī)控制器和DRAM間緩沖時(shí)鐘信號，這是DDR5 DIMM針對客戶端DIMM和焊接式存儲應(yīng)用在高達(dá)7200MT/s速度運(yùn)行時(shí)的新要求。全新時(shí)鐘驅(qū)動器CKD支持I2C和I3C邊帶訪問以實(shí)現(xiàn)異步控制，并提供內(nèi)部控制字訪問，以配置器件功能，適應(yīng)不同的SODIMM和UDIMM配置及焊接式存儲系統(tǒng)應(yīng)用。
RCD驅(qū)動器在主機(jī)控制器和DRAM模塊之間針對命令地址(CA)總線、芯片選擇和時(shí)鐘進(jìn)行緩沖，此外還創(chuàng)建了一個(gè)BCOM總線來控制LRDIMM數(shù)據(jù)緩沖。全新驅(qū)動器增強(qiáng)了決策反饋均衡器(DFE)的支持;其將DFE 相位轉(zhuǎn)換器從4個(gè)增加至6個(gè)，以提高接收器裕量，而I2C和I3C邊帶總線支持提供了直連寄存器的訪問控制。
采用CKD和RCD驅(qū)動器的成功產(chǎn)品組合
瑞薩將RCD和CKD驅(qū)動器與其它成功產(chǎn)品組合中的兼容產(chǎn)品相結(jié)合，包括DDR5電源管理IC(PMIC)和CKD串行存在檢測(SPD)集線器。RCD還可以與瑞薩的溫度傳感器、SPD集線器、PMIC和數(shù)據(jù)緩沖器搭配。瑞薩“成功產(chǎn)品組合”依托于相互兼容且可無縫協(xié)作的產(chǎn)品，同時(shí)采用經(jīng)過技術(shù)驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu)，提供優(yōu)化的低風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì)，加快產(chǎn)品上市?；趶V泛的產(chǎn)品陣容，瑞薩現(xiàn)已推出超過400款“成功產(chǎn)品組合”，旨在幫助用戶加速設(shè)計(jì)，加快上市。
（瑞薩電子）
