2023年6月13日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。
通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%，漏源導通電阻×柵漏電荷(MOSFET性能的品質(zhì)因數(shù))降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實現(xiàn)導通損耗和開關損耗的雙重降低，并最終實現(xiàn)了開關電源效率的提高。
該新產(chǎn)品采用TOLL封裝，柵極驅動采用開爾文連接?？梢酝ㄟ^降低封裝中源極線電感的影響，增強MOSFET的高速開關性能，從而抑制開關過程中的振蕩。
未來，東芝將繼續(xù)擴展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品，并通過降低開關電源的功率損耗來達到節(jié)約節(jié)能的目的。
圖1：漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較
應用
- 數(shù)據(jù)中心(服務器開關電源等)
- 光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器
- 不間斷電源系統(tǒng)
特性
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷，有助于提高開關電源的效率
主要規(guī)格
(除非另有說明，Ta=25℃)
（東芝）
