Transphorm用于低功耗應(yīng)用的高可靠性器件能簡化電源系統(tǒng)的開發(fā)，減少元件數(shù)量;是18億美元規(guī)模的適配器市場的成熟解決方案。
8月2日，高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場效應(yīng)管(FET)平臺，具有以下優(yōu)點：系統(tǒng)設(shè)計簡單，元件數(shù)量少，性能更高，可靠性一流。
飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個USB-C端口和一個USB-A端口(2C1A)，可同時為三臺設(shè)備充電。這款充電器采用了單個650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，與采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結(jié)構(gòu)的硅解決方案相比，功率損失可減少約17%。該適配器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。
TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓撲結(jié)構(gòu)上的150W或以下低功率應(yīng)用的理想選擇。
Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓(最大±18 V)。它可以與現(xiàn)成的控制器(包括帶有集成驅(qū)動器的控制器)配合使用，無需負偏置電壓。這些功能可簡化電源系統(tǒng)的設(shè)計;消除對額外外圍電路的需求，從而減少元件數(shù)量;同時還能增加整個系統(tǒng)的可靠性——這些都是飛宏決定采用Transphorm FET的關(guān)鍵原因。
飛宏生產(chǎn)制造各種備受電子設(shè)備公司信賴的可靠電源解決方案。公司對氮化鎵功率密度優(yōu)勢的理解讓其決定打造新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡單可設(shè)計性和可驅(qū)動性，并且具有高柵極魯棒性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作伙伴。
根據(jù)Facts and Factors近期發(fā)布的一份報告，預(yù)計到2026年全球交流轉(zhuǎn)直流適配器市場規(guī)模將達到18.54億美元，年復(fù)合增長率為12.7%。Transphorm最近也在5月份的報告中稱，其240毫歐器件的發(fā)展勢頭正在不斷加強，公司獲得了亞洲大型手機(65W)項目和領(lǐng)先的WW電子零售商(140W)項目的ODM預(yù)生產(chǎn)訂單。此外，該公司的市場份額增長還得益于成功贏得一家《財富》100強頭部企業(yè)的另一項筆記本適配器設(shè)計項目，其中包括5萬個SuperGaN? 240毫歐FET的初始采購訂單。這些FET可以為65W快充適配器應(yīng)用提供更高的效率，而競爭對手的e-mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐器件來滿足類似應(yīng)用的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN? FET使客戶能夠利用更小的器件實現(xiàn)更強的性能。
Transphorm亞太區(qū)銷售副總裁Kenny Yim表示：“我們的SuperGaN平臺從一開始就圍繞四大關(guān)鍵原則打造：可靠性、可設(shè)計性、可驅(qū)動性和可重復(fù)性。我們的240毫歐器件也不例外。我們讓適配器制造商能夠設(shè)計出體積小、重量輕、發(fā)熱少的產(chǎn)品，并提供前沿的先進USB充電功能。這些創(chuàng)新正在推動全球適配器市場對氮化鎵的采用，使我們有能力通過大批量生產(chǎn)能力支持高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場地位?！?/FONT>
（轉(zhuǎn)載）
