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新能源技術(shù)

研究人員利用半導(dǎo)體材料中的固有缺陷來產(chǎn)生長(zhǎng)波光

2025China.cn   2021年11月02日

       據(jù)外媒報(bào)道,新加坡麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟(麻省理工學(xué)院在新加坡的研究機(jī)構(gòu)SMART,Singapore-MIT Alliance for Research and Technology)低能電子系統(tǒng)跨學(xué)科研究小組的研究人員,與麻省理工學(xué)院、新加坡國(guó)立大學(xué)(National University of Singapore)和南洋理工大學(xué)(Nanyang Technological University)的合作者發(fā)現(xiàn)了一種新的方法,利用半導(dǎo)體材料中的固有缺陷來產(chǎn)生長(zhǎng)波(紅、橙、黃)光,其潛在應(yīng)用包括商業(yè)光源和顯示器內(nèi)的直接發(fā)光器。與以前使用的方法相比,如使用熒光粉(phosphor)將一種顏色的光轉(zhuǎn)換成另一種顏色,這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升。


(圖片來源:smart.mit)

       氮化銦鎵(InGaN)LED是一種基于第III族元素氮化物的發(fā)光二極管(LED),于20多年前(90年代)首次制造問世,此后演變得越來越小,同時(shí)越來越強(qiáng)勁、高效和耐用。如今,InGaN LED在眾多工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用案例中隨處可見,包括信號(hào)、光通信和數(shù)據(jù)存儲(chǔ);并且在高需求消費(fèi)應(yīng)用中發(fā)揮重要作用,如固態(tài)照明、電視機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)和虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)解決方案等。
       20多年來,對(duì)這類電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng),由此推動(dòng)相關(guān)研究發(fā)展,以獲得更高的半導(dǎo)體光輸出、可靠性、壽命和多功能性,進(jìn)而產(chǎn)生對(duì)能發(fā)出不同顏色光的LED的需求。在現(xiàn)代LED中,通常使用InGaN材料來產(chǎn)生紫光和藍(lán)光,而另一種半導(dǎo)體磷化鋁鎵銦(AlGaInP)用于產(chǎn)生紅、橙和黃光。這是由于InGaN在紅色和琥珀色光譜中表現(xiàn)不佳,因?yàn)樾枰吆康你?,而?dǎo)致效率降低。此外,這種具有相當(dāng)高銦濃度的InGaN LED,很難使用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造。因此,實(shí)現(xiàn)全固態(tài)白光發(fā)光設(shè)備(需要三種基色光),這一目標(biāo)仍未達(dá)成。
       為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),SMART的研究人員開發(fā)了一種實(shí)用的方法,利用InGaN材料中預(yù)先存在的缺陷,制備具有明顯更高銦濃度的InGaN量子點(diǎn)。在這一過程中,材料中自然存在的位錯(cuò)(dislocations)導(dǎo)致V形坑合并,從而直接形成富銦量子點(diǎn),即發(fā)射較長(zhǎng)波長(zhǎng)光的材料島狀物。在常規(guī)硅基底上生長(zhǎng)這些結(jié)構(gòu),進(jìn)一步消除對(duì)具有一定結(jié)構(gòu)或非常規(guī)基底的需要。研究人員還對(duì)InGaN量子點(diǎn)進(jìn)行高空間分辨率的成分繪圖,首次從視覺上確認(rèn)其形態(tài)。除了形成量子點(diǎn),另一種固有的晶體缺陷——堆積層錯(cuò)成核,能夠進(jìn)一步促進(jìn)發(fā)出更長(zhǎng)的波長(zhǎng)。
       主要研究人員Jing-Yang Chung表示:“多年來,該領(lǐng)域的研究人員一直試圖解決InGaN量子阱結(jié)構(gòu)中的固有缺陷帶來的各種挑戰(zhàn)。在新方法中,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)納米坑缺陷,以構(gòu)建InGaN量子點(diǎn)直接生長(zhǎng)的平臺(tái)。此項(xiàng)工作證明使用硅基底制造新富銦結(jié)構(gòu)的可行性,這不僅解決了目前長(zhǎng)波InGaN光源效率低的挑戰(zhàn),也緩解了基底價(jià)格昂貴的問題?!?BR>       通過這種方式,在克服InGaN產(chǎn)生紅、橙、黃光時(shí)效率降低這一問題上,SMART的發(fā)現(xiàn)邁出了重要一步。未來,這項(xiàng)工作可能有助于開發(fā)由單一材料組成的微型LED陣列。研究人員表示,這項(xiàng)研究對(duì)環(huán)境也有影響。例如,這一突破有助于加速淘汰白熾燈等非固態(tài)光源,甚至可以淘汰目前的磷涂層藍(lán)色I(xiàn)nGaN LED,采用全固態(tài)混色方案,從而顯著降低全球能源消耗。此外,這項(xiàng)工作還可能對(duì)半導(dǎo)體和電子行業(yè)產(chǎn)生更廣泛的影響。這種新方法遵循標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)制造程序,可以廣泛應(yīng)用。

(轉(zhuǎn)載)

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