研究人員表示，半導(dǎo)體量子點(diǎn)是一個(gè)個(gè)能夠禁錮(exciton)──也就是互相束縛的電子-電洞對(electron-hole pair)──的空缺(即阱狀)，能制作出在特性上優(yōu)于目前那些大宗材料的半導(dǎo)體組件。而萊斯大學(xué)的發(fā)現(xiàn)是，能在的底部留下單層的碳。
稱為石墨烯的石墨薄片通常會(huì)與單層氦結(jié)合，氦會(huì)讓該種材料由導(dǎo)體轉(zhuǎn)換為絕緣體；研究人員是透過移除石墨薄片兩面的氦原子島，做出以上的推論。被絕緣體包圍的、微小的導(dǎo)電石墨烯阱，可用來做為量子阱。
以上理論性研究是由萊斯大學(xué)教授Boris Yakobson，率領(lǐng)博士后研究員Abhishek Singh與Evgeni Penev共同進(jìn)行；他們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)氦的次晶格(sublattice)被移除，一個(gè)具有清晰邊界的精巧六角形阱狀，就會(huì)出現(xiàn)在石墨烯與石墨烯之間。如此一來，這些量子阱應(yīng)該會(huì)具有一致特性，而且電荷泄漏非常小──而這兩個(gè)都是制作可用組件所必須的。
接下來研究人員將研究移除氦原子的技術(shù)，好讓他們能透過改變半導(dǎo)體量子點(diǎn)的尺寸來調(diào)整組件之間的能隙；然后就能針對特殊應(yīng)用來轉(zhuǎn)換其特性，例如用來制作化學(xué)傳感器、、醫(yī)療成像裝置或是納米級(jí)電路等等。
（轉(zhuǎn)載）
