這一新的BCD工藝特色在于提供12伏至60伏的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括：LCD平面顯示器的背光源、led顯示器、一般照明與車用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米，并有數個數字核心?？炜晒┻x擇，適合不同的數字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務，支持0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
借著新工藝所提供的多項整合特色，可減少系統(tǒng)產品的物料清單。高壓DMOS不僅提供MOSFET開關整合，降低零組件數目外，其他可被整合的零組件還包括：高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器、高電阻多晶硅齊納二極體(Zenerdiode)等，也可降低外部零組件數，并顯著地縮小電路板的面積。
DMOS工藝支持專業(yè)集成電路制造中領先的漏極至源極導通電阻(Rdson)效能(例如：對一特定的60V NLDMOS元件，當BV>80V時，其Rdson為72mohm-mm2)以及其高電流驅動能力，可由元件尺寸的最佳化來提升功率效率；可靠的安全操作區(qū)域(SOA)也能讓功率開關與驅動電路更為理想；還有更多詳細的特性分析亦可作為有用的參考，使IC設計能達到最佳的芯片尺寸及設計預算。
在COMS方面，5伏工作電壓能支持占空比脈沖寬度調變器(PulseWidthModulationcontroller)的設計，而2.5伏及1.8伏的邏輯核心，則通用于較高層次的數字整合。除此之外，與邏輯線路相容、單次寫入及多次寫入均可的記憶體選項，也可提供強化的數字程式設計使用。
臺積電工業(yè)電子開發(fā)處劉信生處長指出，就驅動元件整合來說，新的LED驅動IC的BCD工藝是非常尖端的技術，其相關的工藝設計套件(PDKs)強調高度精準的SPICE模型，提供單芯片設計更多的方便性。除此之外，MismatchingModEL可協(xié)助提升目前在多通道LED驅動器設計上的精準度。
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