這兩種工藝技術(shù)采用應(yīng)變硅和藍(lán)寶石襯底,主要用于RF無線和寬帶市場,用來改進(jìn)硅芯片的速度和功耗。這些先進(jìn)材料具有抗輻射特性,可用于航天應(yīng)用。IQE稱,經(jīng)過進(jìn)一步開發(fā),這些材料還可用于工業(yè)電子、消費電子和汽車電子器件的高級微控制器。
“一種新工藝已經(jīng)通過了一個重要客戶的全面驗證并將立即進(jìn)入量產(chǎn),”IQE Silicon的運營經(jīng)理Moz Fisher這樣介紹?！暗诙N工藝需要針對客戶的應(yīng)用進(jìn)行一些重要的重新設(shè)計,這將延長驗證時間,但也有望在未來兩年進(jìn)入量產(chǎn)?！?p>
該工藝的開發(fā)與Welsh Assembly Government的SMART項目一致,并受到了后者的資金支持。
IQE的硅外延操作可以獲得具有埋置型外延層的硅晶圓、具有應(yīng)變硅的SOI和藍(lán)寶石晶圓、多層和部分外延的晶圓以及鍺和SiGe外延晶圓。
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