SRAM芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗新工藝的第一步,是高性能存儲器和復(fù)雜邏輯電路(如微處理器)的基礎(chǔ)。這款22nm SRAM采用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計,面積僅為0.1平方微米。
目前商用最領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝是45-nm。IBM和其合作伙伴正在著手研究32-nm high-k metal gate(高K金屬柵極)技術(shù)。IBM研究人員對SRAM單元設(shè)計和電路布局進行了優(yōu)化以提高穩(wěn)定性,并開發(fā)了多個生產(chǎn)工藝以確保新的SRAM單元順利生產(chǎn)。研發(fā)人員利用新的NA浸沒式光刻技術(shù)(浸沒式光刻技術(shù)是將某種液體充滿投影物鏡最后一個透鏡的下表面與硅片之間來增加系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。)使SRAM的尺寸和密度有突破。
這一22-nm SRAM單元集領(lǐng)先的high-K metal gate(高K金屬柵極)堆棧、晶體管的光刻尺寸(gate length)小于25-nm、間隔層薄(spacer)、共同離子注入(Co-implant)、先進的激活能工藝、薄硅和鑲嵌銅接觸(damascene copper contacts)技術(shù)于一體。“我們所研究的SRAM芯片處在最前沿,朝先進的下一代半導(dǎo)體工藝靠攏”,IBM Research科學(xué)技術(shù)副總裁T.C. Chen表示,“這一22-nm SRAM芯片是我們在持續(xù)推動微電子領(lǐng)域內(nèi)器件微型化道路上取得的突破性成果。”
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