該聯(lián)盟的發(fā)起成員Tezzaron Semiconductor Corp. (Naperville, Ill.)和Ziptronix, Inc. (Morrisville, N.C.)已著手開發(fā)采用IMIS端口的存儲(chǔ)器芯片,預(yù)期將在2008年底推出首款產(chǎn)品。
Tezzaron公司CEO Robert Patti 稱,“現(xiàn)在的高速處理器內(nèi)核要求具有非常高帶寬的3-D互連,現(xiàn)有的以及一定時(shí)間內(nèi)的DDR存儲(chǔ)器技術(shù)是不能滿足這一要求的”。
通過堆棧存儲(chǔ)器裸片和處理器,兩者的“親密連接“使每個(gè)引腳的功耗約為24微瓦,而DDR每個(gè)引腳的功耗為30-40毫瓦。依據(jù)IMIS的標(biāo)準(zhǔn),處理器和存儲(chǔ)器之間1,000個(gè)引腳并行連接的功耗被限制在低于3W,而傳統(tǒng)的互連功耗超過了30W。
“我們相信IMIS解決了處理器制造商們要實(shí)現(xiàn)上G存儲(chǔ)時(shí)的帶寬問題,訪問我們的DRAM的典型時(shí)間為7奈秒” ,Patti稱,“我們接近了DRAM的密度和SRAM的速度并提供比DRAM有競(jìng)爭(zhēng)力的成本。”
IMIS端口尺寸為450×2,000微米,含有一個(gè)19單元(高)×80單元(寬)的針腳柵格,每個(gè)單元面積為25平方微米。處理器制造商正調(diào)整他們的裸片,包括添加一個(gè)IMIS端口,用于兼容來(lái)自3D-IC聯(lián)盟(3D-IC聯(lián)盟目前有包括約6位成員)不同成員的存儲(chǔ)器芯片。
（電子工程專輯）
