據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)伊利諾大學(xué)香檳分校的研究者宣布，他們已制造出目前世界最快的晶體管，這種磷化銦與砷化銦鎵制造的的新型晶體管速度達(dá)845GHz，較之前的記錄超出約300GHz。這一速度是在-55℃獲得的，室溫下該晶體管可以運(yùn)行在765GHz。
除了新型材料外，這種晶體管的制造工藝也更為精良，基部?jī)H有12.5納米。
伊利諾大學(xué)Holonyak教授職位(新浪科技注：1962年美國(guó)通用電氣公司的Holonyak博士發(fā)明了世界上第一支發(fā)光二極管，即LED)的Milton Feng指出：“新型晶體管利用了偽晶基部和集電極區(qū)域的坡度效應(yīng)?！崩眯卵邪l(fā)的裝置，他宣稱(chēng)晶體管已趨近太赫茲(THz，即1000GHz)的“圣杯”。
該校研究生William Snodgrass說(shuō)：“通過(guò)垂直縮小裝置，我們減小了電子的運(yùn)動(dòng)距離，故晶體管頻率更高。且集電器的橫截面也有減少，所以晶體管充放電的速度也加快了?！?/P>
在本周IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上，麻省理工學(xué)院電氣工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)教授Jesús del Alamo介紹了砷化銦鎵(InGaAs)晶體管技術(shù)。流經(jīng)新晶體管的電流量相當(dāng)于目前最先進(jìn)的硅晶體管的2.5倍，更大的電流量是快速運(yùn)行的關(guān)鍵。
Alamo認(rèn)為，砷化銦鎵晶體管技術(shù)目前還處于幼年時(shí)期，砷化銦鎵比硅更容易破損，難以大批量生產(chǎn)。但他預(yù)計(jì)該技術(shù)在10年內(nèi)將會(huì)快速發(fā)展，并極大超過(guò)硅技術(shù)。在未來(lái)10年至15年，從尺寸和性能上講硅晶體管的發(fā)展將達(dá)到極限。
在今年6月，IBM與佐治亞理工學(xué)院成功使一顆芯片運(yùn)行在500GHz，其時(shí)溫度為-268℃，這也刷新了硅鍺芯片的速度記錄。此項(xiàng)實(shí)驗(yàn)是探索硅鍺(SiGe)芯片速度極限計(jì)劃的一部分，這種芯片類(lèi)似于標(biāo)準(zhǔn)的硅基芯片，但是它含有鍺元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。
硅鍺芯片技術(shù)已經(jīng)較為成熟，除IBM外，摩托羅拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其產(chǎn)品中使用這項(xiàng)技術(shù)。
（轉(zhuǎn)載）
