羅姆開(kāi)發(fā)出全球?qū)娮枳钚〉墓β蔒OSFET樣品

                                               羅姆開(kāi)發(fā)出全球?qū)娮枳钚〉墓β蔒OSFET樣品 
  
   羅姆公司（ROHM）日前開(kāi)發(fā)出了采用導(dǎo)通電阻降至約為原來(lái)一半的SiC的功率MOSFET。將于2006年內(nèi)供應(yīng)工業(yè)樣品。耐電壓900V，導(dǎo)通電阻為3.1mΩ·cm2。在SiC MOSFET中，導(dǎo)通電阻為全球最小，只有耐電壓相同、采用硅的DMOS的約1/80或IGBT的約1/6。主要面向工業(yè)設(shè)備及混合動(dòng)力車(chē)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路及電源電路等。羅姆于2004 年12月發(fā)布的試制品為導(dǎo)通電阻7.15mΩ、耐壓1000V。該公司表示，將一邊觀察市場(chǎng)對(duì)工業(yè)樣品的反應(yīng)，一邊探討量產(chǎn)時(shí)間以及設(shè)立生產(chǎn)線的投資規(guī)模等。
   此次為降低導(dǎo)通電阻而進(jìn)行的改進(jìn)主要有2點(diǎn)。一是減小了芯片上集成的多個(gè)功率MOSFET單元的體積。單元面積從原來(lái)的16μm×16μm減小到了10μm×10μm。另一點(diǎn)是采用了可將溝道載流子遷移率提高至原來(lái)3倍～4倍的柵極絕緣膜形成工藝。
   試制品的芯片尺寸為0.9mm×0.9mm。該公司介紹，通過(guò)將導(dǎo)通電阻大約降至原來(lái)的一半，成功地將芯片面積減小到了1/3～1/2左右。

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