東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（"東芝"）今日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---"MG800FXF2YMS3"，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
為達(dá)到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效緊湊設(shè)備的需求。
應(yīng)用
●用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
●可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
●工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備
特性
●漏源額定電壓：VDSS＝3300V
●漏極額定電流：ID＝800A雙通道
●寬通道溫度范圍：Tch＝175℃
●低損耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
●低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）
●高功率密度的小型iXPLV封裝
主要規(guī)格
?。ǔ橇碛姓f明，@Tc＝25℃）
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器件型號(hào) |
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封裝 |
iXPLV | |||
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額定最大絕對(duì)值 |
漏源電壓VDSS（V） |
3300 | ||
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柵源電壓VGSS（V） |
+25／-10 | |||
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漏極電流（DC）ID（A） |
800 | |||
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漏極電流（脈沖）IDP（A） |
1600 | |||
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通道溫度Tch（℃） |
175 | |||
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隔離電壓Visol（Vrms） |
6000 | |||
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電氣特性 |
漏源電壓導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VDS(on)sense典型值（V） |
VGS＝+20V時(shí)， ID＝800A |
1.6 | |
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源漏電壓導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VSD(on)sense典型值（V） |
VGS＝+20V時(shí)， IS＝800A |
1.5 | ||
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源漏電壓關(guān)斷電壓（感應(yīng)） VSD(off)sense典型值（V） |
VGS＝-6V時(shí)， IS＝800A |
2.3 | ||
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雜散電感模塊LSPN典型值（nH） |
12 | |||
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導(dǎo)通開關(guān)損耗 Eon典型值（mJ） |
VDD＝1800V時(shí)， ID＝800A、 Tch＝150℃ |
250 | ||
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關(guān)斷開關(guān)損耗 Eoff典型值（mJ） |
VDD＝1800V時(shí)， ID＝800A、 Tch＝150℃ |
240 | ||
（轉(zhuǎn)載）
