羅姆(ROHM)半導體集團是全球最知名的半導體廠商之一。ROHM IGBT產(chǎn)品利用ROHM特有的溝槽柵、薄晶圓技術(shù)實現(xiàn)了低VCE(sat)、低開關(guān)損耗等特性。目前有第二代和第三代產(chǎn)品，第三代IGBT整體損耗更低，效率更高，元器件溫度更低。涵蓋650V/1200V、4A-50A多個規(guī)格，主流封裝，有車規(guī)級(AEC-Q101)產(chǎn)品。大量應(yīng)用于車載壓縮機，電機市場，電源市場，空調(diào)冰箱等。
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主要產(chǎn)品及應(yīng)用
第三代650V耐壓IGBT：兼?zhèn)涞蛡鲗p耗和高速開關(guān)特性。
這些產(chǎn)品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機及功率控制板工業(yè)設(shè)備、空調(diào)、IH(感應(yīng)加熱)等消費電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換。
羅姆半導體穿通型IGBT技術(shù)演化
650V IGBT RGTV和RGW產(chǎn)品系列
· 用于快速開關(guān)的RGTV系列，其短路耐受時間(SCWT)為2 μs;
· 用于更快速開關(guān)的RGW系列，主要針對SCWT不做要求的應(yīng)用
RGTV和RGW產(chǎn)品系列特點：
1.實現(xiàn)業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關(guān)性能
在本新系列產(chǎn)品中，利用薄晶圓技術(shù)使晶圓厚度比以往產(chǎn)品再薄15%，另外采用ROHM獨創(chuàng)的單元微細化結(jié)構(gòu)，成功實現(xiàn)業(yè)界頂級的低導通損耗(VCE(sat)=1.5V)和高速開關(guān)特性(tf=30～40ns)。
2.實現(xiàn)軟開關(guān)，減輕設(shè)備的設(shè)計負擔
通過元器件內(nèi)部優(yōu)化，實現(xiàn)了ON/OFF順暢切換的軟開關(guān)。由此，開關(guān)時產(chǎn)生的電壓過沖與普通產(chǎn)品相比減少了50%，可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數(shù)量。使用IGBT時，應(yīng)用端不再需要以往需要的過沖對策，有利于減輕設(shè)計負擔。
完整產(chǎn)品系列如下表所示，羅姆IGBT型號的前部分為TC=100 °C時額定電流的兩倍。對于當前所有類別中有兩種芯片配置方式，即IGBT芯片單獨封裝或與快速恢復二極管(FRD)共同封裝。在RGTV系列中，F(xiàn)RD與IGBT具有相同的額定電流。RGW系列中的FRD的額定電流比IGBT的低，其FRD的額定電流如表中的括號內(nèi)所示。這些器件的額定電流在TC=100 °C的情況下從30 A到80 A，并采用TO-247N(非隔離型)和TO-3PFM(隔離型)等封裝中，具體如下表所示：
1200V耐壓IGBT：汽車級(AEC-Q101)、短路耐受時間為10μsec(Tj=25℃)
“RGS系列”產(chǎn)品
RGS系列產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低傳導損耗(Vce(sat.))，達到業(yè)界領(lǐng)先水平，非常適用于電動壓縮機的逆變器電路和PTC加熱器的開關(guān)電路，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
此外，1200V耐壓產(chǎn)品的短路耐受時間為10μsec(Tj=25℃)，即使在要求高可靠性的車載領(lǐng)域也可放心使用。
RGS系列產(chǎn)品特點：
1. 業(yè)界領(lǐng)先的低傳導損耗
通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，在1200V耐壓級別將傳導損耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃)，與其他公司同等產(chǎn)品(1200V、40A產(chǎn)品)相比，傳導損耗改善了約10～15%。
尤其是在電動壓縮機和PTC加熱器中，由于驅(qū)動頻率較低，故對傳導損耗的重視程度高于開關(guān)特性，RGS系列的出色表現(xiàn)已經(jīng)獲得客戶的高度好評。
2. 產(chǎn)品陣容豐富，滿足客戶多樣化需求
此次推出的四款1200V耐壓產(chǎn)品，加上量產(chǎn)中的650V耐壓產(chǎn)品，共11種機型。產(chǎn)品陣容中包括IGBT單品和續(xù)流二極管)內(nèi)置型兩種類型的產(chǎn)品，客戶可根據(jù)需求自由選用。
（轉(zhuǎn)載）
