引言：ATPAK以新的銅夾取代DPAK封裝的線邦定，有利于降低封裝的熱阻，和實(shí)現(xiàn)電源設(shè)計(jì)中更高的密度。銅夾的本質(zhì)上更大的橫截面積減小導(dǎo)通電阻，提高能效，降低功耗和發(fā)熱以及增加電流承載能力。
半導(dǎo)體器件技術(shù)的不斷發(fā)展，使現(xiàn)有的應(yīng)用能夠更好地實(shí)現(xiàn)，以及推進(jìn)新的應(yīng)用。最近的創(chuàng)新從根本上改進(jìn)了封裝技術(shù)的方式，特別是有關(guān)汽車和針對(duì)電源的應(yīng)用。
目前，對(duì)于MOSFET封裝的事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)是DPAK封裝-三引腳表面貼裝器件，有大量貼裝標(biāo)簽以提供最佳的熱傳導(dǎo)和物理優(yōu)勢(shì)。小型和方便的卷帶封裝形式非常受歡迎，尤其在自動(dòng)化制造環(huán)境中。
盡管DPAK的普及，但也有缺點(diǎn)。當(dāng)今的超薄設(shè)計(jì)中的許多器件都大大低于DPAK封裝的2.3mm高度。另外，DPAK采用的非常薄的(~ 70um)線邦定限制熱性能和電氣性能，即使在多個(gè)邦定并聯(lián)時(shí)。這也限制了現(xiàn)代電源相關(guān)設(shè)計(jì)要求的降低導(dǎo)通電阻(RDSON)的能力。
為了解決這些限制，安森美半導(dǎo)體的ATPAK (‘Advanced Thin PAcKage’)已作為新一代封裝被推出，用于現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)。ATPAK高度僅1.5mm，占位與DPAK封裝，從而縮減35%的尺寸，同時(shí)仍向后兼容現(xiàn)有的DPAK封裝設(shè)計(jì)。
ATPAK以新的銅夾取代DPAK封裝的線邦定，有利于降低封裝的熱阻，和實(shí)現(xiàn)電源設(shè)計(jì)中更高的密度。銅夾的本質(zhì)上更大的橫截面積減小導(dǎo)通電阻，提高能效，降低功耗和發(fā)熱以及增加電流承載能力到以前僅D2PAK才能達(dá)到的100A，而D2PAK的尺寸比ATPAK大約7倍。
安森美半導(dǎo)體進(jìn)行了基準(zhǔn)測(cè)試，以比較DPAK封裝與新的ATPAK封裝的熱性能。結(jié)果表明，ATPAK所用的新的夾焊技術(shù)帶來改善的熱性能。此外，ATPAK散熱能力優(yōu)于DPAK-盡管少35%的體積-導(dǎo)致結(jié)溫降低6.2℃，從而提供更高可靠性。
安森美半導(dǎo)體的汽車ATPAK MOSFET方案提供全系列產(chǎn)品用于各種不同的汽車應(yīng)用。新的N溝道和P溝道器件的最大電流處理能力達(dá)120 A(ID Max)，導(dǎo)通電阻值(RDSON)低于5 m?，支持未來在嚴(yán)格要求的應(yīng)用中的高能效工作。
安森美半導(dǎo)體的ATPAK封裝兼容DPAK，體積還小35%
（轉(zhuǎn)載）
