引言：日前，格羅方德公司宣布，F(xiàn)inFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能，成熟的ASIC IP解決方案將大幅提高下一代高速應(yīng)用的性能和能效。
格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對最嚴苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準備。
格羅方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導(dǎo)，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極具挑戰(zhàn)性的系統(tǒng)環(huán)境中部署昂貴的高功耗中繼器。56Gbps SerDes采用突破性的創(chuàng)新架構(gòu)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的長距離傳輸性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR 和 IEEE 802.3cd等新興的50Gbps行業(yè)標準。
FX-14產(chǎn)品可提供多種高速SerDes (HSS) 解決方案，其制造基礎(chǔ)是位于紐約州馬耳他市Fab 8工廠內(nèi)的成熟且經(jīng)生產(chǎn)驗證的14納米FinFET (14LPP)平臺。一流的高性能56Gbps架構(gòu)可提供業(yè)界領(lǐng)先的抖動性能和均衡支持，可在多種高速接口標準下強化系統(tǒng)性能，并可為當前及未來的頂尖網(wǎng)絡(luò)、計算和存儲應(yīng)用構(gòu)建高速連接和低功耗的解決方案。
“這一里程碑彰顯出我們能夠設(shè)計出最佳的ASIC解決方案，并以極具競爭力的功率和芯片面積為最為嚴苛的網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)頂尖的56Gbps性能?！备窳_方德全球銷售和業(yè)務(wù)開發(fā)部高級副總裁Mike Cadigan先生表示：“憑借成功且歷經(jīng)考驗的SerDes開發(fā)和ASIC技術(shù)經(jīng)驗，并與格羅方德的14LPP技術(shù)完美結(jié)合，我們將助力客戶通過集成且高性能的內(nèi)核將新應(yīng)用經(jīng)濟高效地推向市場?！?/FONT>
“網(wǎng)絡(luò)帶寬的爆發(fā)式提升，持續(xù)推動著具有業(yè)界領(lǐng)先的接口速度和密度的ASIC解決方案的需求，”林利集團(Linley Group)首席分析師Bob Wheeler先生指出：“格羅方德可提供尖端SerDes 內(nèi)核，實現(xiàn)一流ASIC解決方案的快速上市，同時提高下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的帶寬容量、可擴展性和能效。”
憑借眾多領(lǐng)先優(yōu)勢，諸如具有超高性能56Gbps SerDes、PCI Express和多個30Gbps SerDes設(shè)計，亦支持多種外置內(nèi)存接口，格羅方德FX-14設(shè)計系統(tǒng)進一步鞏固了公司在HSS方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。格羅方德的嵌入式內(nèi)存解決方案包括行業(yè)最快和功耗最低的嵌入式TCAM，與前代產(chǎn)品相比，其性能提高60%，漏電率降低80%，而SRAM的密度和性能也有所優(yōu)化。
目前，客戶正在設(shè)計基于14LPP工藝技術(shù)的高級ASIC解決方案，該方案使用56Gbps和其他FX-14 SerDes內(nèi)核。56Gbps SerDes技術(shù)目前正在客戶渠道中展示，而開發(fā)板將于2017年第一季度初投放市場。針對下一代數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)，格羅方德正在開發(fā)易于遷移的先進電氣解決方案和光學替代解決方案，以便讓多種技術(shù)實現(xiàn)112Gbps及以上的通信能力。
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關(guān)于格羅方德
格羅方德公司(GLOBALFOUNDRIES)是一家領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體晶圓代工廠，可為全球各大技術(shù)公司提供獨一無二的半導(dǎo)體設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)服務(wù)。公司在三大洲均擁有生產(chǎn)中心，致力于通過先進的技術(shù)和系統(tǒng)實現(xiàn)行業(yè)轉(zhuǎn)型并助力客戶塑造市場。格羅方德半導(dǎo)體是穆巴拉達發(fā)展公司(Mubadala)旗下子公司。欲了解更多信息，請訪問。
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