于今年1月6日發(fā)表的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體FET技術(shù)，在近期被美國(guó)波音公司和通用汽車(chē)公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室HRL正式展示。
在近期，由美國(guó)波音公司和通用汽車(chē)公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室HRL正式宣布將首次展示其研發(fā)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體FET技術(shù)。其實(shí)，該研究結(jié)果早在今年1月6日就被發(fā)表在了inieee電子器件快報(bào)上，但現(xiàn)在，它將被正式的展示。據(jù)悉，在這一過(guò)程中，該實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)確定半導(dǎo)體卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用，這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。
在此之前，氧化鎵由于存在大量的寄生電感導(dǎo)致電壓不穩(wěn)定，使其在光電子方面的應(yīng)用潛力并沒(méi)有被開(kāi)發(fā)出來(lái)多少。而現(xiàn)在，HRL通過(guò)將電源開(kāi)關(guān)及驅(qū)動(dòng)電路集成在同一芯片上的方式，大大的減少了這一影響。
這項(xiàng)技術(shù)被應(yīng)用在電子產(chǎn)品當(dāng)中的話(huà)，將使功率集成電路能夠采用更小的尺寸，并以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高效的電力管理，也能夠在更為惡劣的環(huán)境下工作。在此之前，由于在制造P溝道晶體管和N溝道晶體管的挑戰(zhàn)，氮化鎵CMOS集成電路曾被認(rèn)為是困難或不可能的。而現(xiàn)在HRL已經(jīng)通過(guò)自己的努力改變了這一切。
這項(xiàng)技術(shù)必將對(duì)電子產(chǎn)品帶來(lái)巨大的影響，甚至是具有革命性意義的影響。在未來(lái)，我們所使用的電子產(chǎn)品或許將因此具備更優(yōu)秀的性能和更廣的使用范圍。
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