英飛凌擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合，提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺。
英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所收購美國國際整流器公司的GaN平臺，以及我們與松下電器的伙伴關系，使英飛凌在前景光明的GaN市場上確立了技術(shù)領先的地位。按照我們‘從產(chǎn)品到系統(tǒng)’的策略，現(xiàn)在，我們的客戶可以根據(jù)其設備/系統(tǒng)要求，靈活選擇增強模式或級聯(lián)模式。與此同時，英飛凌致力于開發(fā)表面貼裝器件(SMD)和IC，以便GaN技術(shù)在更為緊湊的空間內(nèi)進一步充分發(fā)揮其優(yōu)越性能。舉個常見的實例來說，利用我們的GaN技術(shù)，當前市場上銷售的便攜式電腦充電器的尺寸和重量，可以被縮小并減輕至目前的四分之一?！?/FONT>
擴充后，英飛凌提供產(chǎn)品將包括專門的驅(qū)動器和控制器IC，它們有助于充分發(fā)揮GaN在各種拓撲和更高頻率下的優(yōu)越性。同時，通過收購International Rectifier公司, 更為廣博的專利組合、硅基GaN外延工藝和100V-600V技術(shù)等都得到了進一步加強。此外，通過與松下電器結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關系，英飛凌與松下電器將聯(lián)合推出結(jié)合了松下電器的常閉型(增強模式)硅基GaN晶體管結(jié)構(gòu)與英飛凌的表面貼裝器件(SMD)封裝的器件，推出易于使用的高能效600V GaN功率器件，這也將帶給客戶雙重貨源便利。
這樣一來，英飛凌為客戶提供了完備的系統(tǒng)知識，以及業(yè)界最全面的GaN技術(shù)和產(chǎn)品組合。不僅如此，英飛凌將憑借出類拔萃的生產(chǎn)工藝、量產(chǎn)能力和第二貨源渠道的優(yōu)勢，為客戶提供采用英飛凌SMD封裝的常閉型GaN功率器件。
相比于硅技術(shù)解決方案，硅基GaN技術(shù)能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，因此，非常適用于從諸如電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產(chǎn)品，到服務器和電信設備中使用的SMPS。IHS發(fā)布的市場研究報告稱，面向功率半導體的硅基板GaN技術(shù)市場，將以高達50%以上的年均復合增長率(CAGR)增長，因此，到2023年，其市場容量將從2014年的1,500萬美元，增至8億美元。
供貨情況
2015年3月15日至19日，在北卡羅來納州夏洛特市舉辦的應用電力電子會議暨展覽會(APEC)上，英飛凌和松下電器已展示采用DSO封裝的600V 70m?器件樣品。此外，還展出了增強模式和共源共柵配置器件?？稍谂c客戶簽訂保密協(xié)議(NDA)的情況下，提供增強模式和級聯(lián)結(jié)構(gòu)的器件樣品。全面上市的中壓級聯(lián)結(jié)構(gòu)的GaN器件已向相應的D類音頻系統(tǒng)客戶開放。
（轉(zhuǎn)載）
