采用PowerPAK? SC-70封裝，2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
今天發(fā)布的Vishay Siliconix這款-30V VDS器件具有抵御過壓尖峰所需的余量，其12V VGS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的導(dǎo)通電阻，可用于超便攜、電池供電的產(chǎn)品。MOSFET適用于智能手機、平板電腦、移動計算設(shè)備、非植入式便攜醫(yī)療產(chǎn)品、硬盤驅(qū)動器，以及電動牙刷、刮胡刀，掃描儀和RFID讀寫機具等手持消費電子產(chǎn)品中的負載和輸入過壓保護開關(guān)、電池充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器。對于這些應(yīng)用，SiA453EDJ提供了18.5mΩ(-10V)、23.5mΩ(-4.5V)、26.0mΩ(-3.7V)和37.7mΩ(-2.5V)的極低導(dǎo)通電阻，內(nèi)建ESD保護達到4000V。
SiA453EDJ在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的-30V器件低36%，比使用12V VGS的最接近器件低50%。MOSFET在-2.5V下的導(dǎo)通電阻比僅次于這款器件的12V VGS器件低46%。這些業(yè)內(nèi)最低的數(shù)值使設(shè)計者能在電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池使用壽命。而器件的小尺寸PowerPAK SC-70封裝能節(jié)省非常重要的PCB空間。
MOSFET進行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。
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