摘要：2013年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估達3110億美元，較2012年成長4.5%。2013年下半年DRAM市場將開始復(fù)蘇，半導(dǎo)體行業(yè)隨之迎來轉(zhuǎn)折點，半導(dǎo)體總營收預(yù)計將較2013年增加9.9%，達到3420億美元。
2012年全球經(jīng)濟狀況持續(xù)呈現(xiàn)低迷景象，由于全球消費能力下降等原因，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展備受沖擊，不過高端半導(dǎo)體市場仍保持原有的發(fā)展勢頭，發(fā)展較好。十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
受DRAM產(chǎn)能需求下降、2012下半年整體半導(dǎo)體裝置需求減緩和庫存暴增的影響，制造設(shè)備的銷售量從第2季至年底為止呈現(xiàn)逐季下滑。晶圓級制造受到微影(lithography)與沈積(deposition)領(lǐng)域疲弱的影響，在2012年表現(xiàn)低于整體市場。在主要領(lǐng)域中，即主要受到邏輯制造影響的領(lǐng)域，以28/20奈米制程和良率改善的表現(xiàn)較佳。
據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。GaN是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬帶隙材料，但擁有更大的成本控制潛力。
據(jù)分析師預(yù)測，氮化鎵上硅設(shè)備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實現(xiàn)平價和同等性能，至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關(guān)。SiC肖特基二極管在2012年的銷售額超過1億美元，是目前最暢銷的SiC或GaN設(shè)備。至2022年這一數(shù)字將增加近一倍。
業(yè)內(nèi)市場調(diào)查機構(gòu)預(yù)計，2013年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估達3110億美元，較2012年成長4.5%。2013年下半年DRAM市場將開始復(fù)蘇，半導(dǎo)體行業(yè)隨之迎來轉(zhuǎn)折點，半導(dǎo)體總營收預(yù)計將較2013年增加9.9%，達到3420億美元。
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