Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有諸如超低導通電阻、超低柵極電荷等高性能指標，采用高壓條帶技術，使效率和功率密度達到新的水平。能夠在服務器和通信電源系統(tǒng)、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設備和電磁加熱的高功率、高性能開關電源應用中節(jié)約能源。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。
今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術，使效率和功率密度達到新的水平。器件的條帶設計加上更小的裸片尺寸和端接，使柵極電荷比前一代方案低50%，同時提高了開關速度，降低了導通電阻和輸入電容。
400V、500V和600V器件的導通電阻分別為0.17?、0.13?和0.34?。超低的導通電阻意味著極低的傳導和開關損耗，能夠在服務器和通信電源系統(tǒng)、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設備和電磁加熱的高功率、高性能開關電源應用中節(jié)約能源。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC，具有最佳的柵極電荷與導通電阻乘積，該值是用在功率轉換應用中MOSFET的關鍵優(yōu)值系數(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。
新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅動電路、非常耐用的本體二極管，易于設計到更緊湊、更輕、發(fā)熱更少的終端產品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩(wěn)定可靠地工作。
器件規(guī)格表：
*目標標準，產品即將面世
新的D系列MOSFET現可提供樣品，將在2012年3季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 。
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