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半導(dǎo)體制程微縮至28納米 先進(jìn)封裝技術(shù)

2025China.cn   2011年08月12日

引言

      半導(dǎo)體制程進(jìn)入28納米時(shí)代,封裝技術(shù)也跟著同步演進(jìn),包括3D IC相對(duì)的SiP、TSV以及銅柱凸塊,都是業(yè)者加碼布局的重點(diǎn)。隨著TSV加工技術(shù)進(jìn)步,與加工成本下滑,預(yù)估采用TSV 3D IC技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量市占比重,將從2009年的0.9%提高至2015年的14%。

 

       隨著半導(dǎo)體制程微縮到28納米,封測(cè)技術(shù)也跟著朝先進(jìn)制程演進(jìn),日月光、矽品、京元電、力成、頎邦等一線大廠,皆加碼布局3D IC及相對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)產(chǎn)能,包括矽穿孔(TSV)、銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)等。封測(cè)業(yè)者預(yù)估,最快2011年第4季應(yīng)可接單量產(chǎn)。
  臺(tái)積電28納米制程已在2011年第2季正式量產(chǎn),預(yù)計(jì)到第3季應(yīng)可持續(xù)放量。聯(lián)電在日前法說(shuō)會(huì)曾指出,該公司已有相關(guān)40-28納米的規(guī)劃,預(yù)料28納米的發(fā)展會(huì)比40-65奈米為快,28奈米制程在2012年可望與40納米同步。
  半導(dǎo)體制程進(jìn)入28納米時(shí)代,封裝技術(shù)也跟著同步演進(jìn),包括3D IC相對(duì)的SiP、TSV以及銅柱凸塊,都是業(yè)者加碼布局的重點(diǎn)。隨著TSV加工技術(shù)進(jìn)步,與加工成本下滑,預(yù)估采用TSV 3D IC技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量市占比重,將從2009年的0.9%提高至2015年的14%。
  SEMI臺(tái)灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示,3D IC是半導(dǎo)體封裝的必然趨勢(shì),現(xiàn)在所有產(chǎn)業(yè)鏈中的廠商都在尋找更經(jīng)濟(jì)的解決方案和合作伙伴,希望盡早克服技術(shù)瓶頸,達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)。
  3D IC將是后PC時(shí)代主流,力成、爾必達(dá)(Elpida)與聯(lián)電將針對(duì)28納米及以下制程,提! 升3D IC整合技術(shù),預(yù)計(jì)于第3季進(jìn)入試產(chǎn)階段,其他封測(cè)大廠包括日月光、矽品等,也積極部署3D堆疊封裝技術(shù),2012~2013年將可以見(jiàn)到明顯增溫態(tài)勢(shì)。
  日月光集團(tuán)總經(jīng)理暨研發(fā)長(zhǎng)唐和明指出,由于使用矽基= (Silicon Interposer)的2.5D IC供應(yīng)鏈已大致完備,2.5D IC的導(dǎo)入預(yù)期會(huì)幫助半導(dǎo)體技術(shù)順利地由40奈米導(dǎo)入28納米及以下。在電腦及智慧型手機(jī)等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下,預(yù)估至2013年2.5D與3D IC的商業(yè)化產(chǎn)品將有機(jī)會(huì)問(wèn)世。
  艾克爾在日前的法說(shuō)會(huì)上提及,該公司在第2季資本支出達(dá)9,700萬(wàn)美元,用于支應(yīng)晶片尺寸覆晶封裝(FC CSP)、堆疊式FC CSP(flip chip stacked CSP)、細(xì)線路銅柱凸塊覆晶封裝(fine pitch copper pillar flip chip)等新一代先進(jìn)封裝技術(shù)。該公司表示,在積極著墨下,上述封裝技術(shù)的2011年上半營(yíng)收比2010年同期倍增。
  臺(tái)灣3大封測(cè)廠皆具備銅柱凸塊相關(guān)技術(shù)能力,在銅打線制程領(lǐng)先的日月光銅柱凸塊,已開(kāi)始送樣認(rèn)證。根據(jù)客戶(hù)產(chǎn)品藍(lán)圖規(guī)劃,隨著28納米制程在2012年躍升主流,也將推升銅柱凸塊需求大幅成長(zhǎng)。力成已有相關(guān)機(jī)臺(tái)到位,并與客戶(hù)進(jìn)行認(rèn)證中,預(yù)計(jì)2011年第4季~2012年第1季即可量產(chǎn)。
  頎邦和京元電于2011年3月簽訂合作備忘錄。著眼于電子產(chǎn)品輕薄短小為市場(chǎng)趨勢(shì),電源管理IC為加強(qiáng)散熱以及增加電壓,對(duì)于厚銅制程需求開(kāi)始浮現(xiàn),且厚銅制程與金凸塊、錫鉛凸塊制程類(lèi)似,機(jī)器設(shè)備? |性高,電源管理IC便成為頎邦及京元電共同合作布局的新領(lǐng)域。同時(shí)中小尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC轉(zhuǎn)向12吋廠生產(chǎn),8吋金凸塊產(chǎn)能開(kāi)始閑置,朝向厚銅制程方向發(fā)展也可解決8吋金凸塊產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題。 

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