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技術(shù)

晶閘管的主要電參數(shù)

2025China.cn   2010年01月31日
        晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降 VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等??蓞⒁妶D5標(biāo)識(shí)。

  (一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO

  晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。

  (二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM

  斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時(shí),允許加在A、K(或T1、T2)極間最大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。

  (三)晶閘管通態(tài)平均電流IT

  通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR

  反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。

  (五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM

  反向重復(fù)峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時(shí),允許加在A、K極間的最大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。

  (六)晶閘管正向平均電壓降VF

  正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí),其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,通常為0.4~1.2V。

  (七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT

  門極觸發(fā)VGT,是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的最小門極直流電壓,一般為1.5V左右。

  (八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT

  門極觸發(fā)電流IGT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的最小門極直流電流。

  (九)晶閘管門極反向電壓

  門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓,一般不超過10V。

  (十)晶閘管維持電流IH

  維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的最小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí),導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷。

  (十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR

  斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR,是指晶閘管在斷態(tài)下的正向最大平均漏電電流值,一般小于100μA

  (十二)晶閘管反向重復(fù)峰值電流IRRM

  反向重復(fù)峰值電流IRRM,是指晶閘管在關(guān)斷狀態(tài)下的反向最大漏電電流值,一般小于100μA。

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