Vishay推出IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器VO3120/50A

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已有的光耦產(chǎn)品線。此次發(fā)布的VO3120和VO3150A的輸出電流分別為2.5A和0.5A，具有最寬的工作電壓和很高的環(huán)境工作溫度，其低功耗特性能夠?qū)崿F(xiàn)更好的熱管理，以及在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電磁爐、電源和其他高電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更靈活的設(shè)計(jì)。

VO3120和VO3150A都帶有一個(gè)與集成電路光學(xué)耦合的LED，功率輸出級(jí)的操作電壓范圍是15V～32V，輸出電流分別可達(dá)2.5A和0.5A。新器件的電壓和電流使其適合直接驅(qū)動(dòng)電壓等級(jí)為800V的IGBT，VO3120可驅(qū)動(dòng)電流為50A的IGBT，VO3150A可驅(qū)動(dòng)電流為20A的IGBT。驅(qū)動(dòng)器的操作電壓最高可達(dá)32V，是目前業(yè)界最高的，這樣VO3120和VO3150A可以驅(qū)動(dòng)通常需要雙面電源的更大模塊，讓設(shè)計(jì)者在挑選功率器件時(shí)有更大的選擇余地。

兩款驅(qū)動(dòng)器的最高環(huán)境工作溫度可達(dá)+110℃，設(shè)計(jì)者可以把驅(qū)動(dòng)器放置在更靠近IGBT的位置，抑或使用更小的散熱器，從而簡(jiǎn)化熱管理。2.5A的低功耗也有助于減小功率和散熱。Vishay提供的熱模型可幫助設(shè)計(jì)者進(jìn)行熱仿真。

VO3120和VO3150A均提供無(wú)鉛、符合RoHS指令的DIP-8和SMD-8封裝。這兩款器件現(xiàn)可提供樣品，將于2009年6月正式量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為四至六周。

（轉(zhuǎn)載）