據(jù)日經(jīng)BP社報道,日立制作所在“nano tech 2009(國際納米技術綜合展)”(2月18~20日)上展出了芯片尺寸為1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的,與該公司此前發(fā)布的3.4mm見方的試制品相比,體積大幅縮小。該公司正在探討利用150mm晶圓生產(chǎn)線的量產(chǎn)事宜。
將尺寸由3.4mm見方縮小到1.9mm見方的理由有二。一是在LSI的正上方形成壓力傳感器。原來的試制品雖然層積了LSI及壓力傳感器,但由于要優(yōu)先確立核心技術,因此為了不在LSI的正上方層疊壓力傳感器,只好沿水平方向錯位形成。另一點是此次削減了壓力傳感器部分留有的多余空間。留有空間的理由是為了配備壓力傳感器以外的傳感器。
另外,日立此次還介紹了可通過改變隔膜(承受壓力后彎曲的薄膜部)尺寸,改變檢測壓力靈敏度的技術。利用該技術,可使集成型壓力傳感器的設計及制造工藝實現(xiàn)標準化,還可將達到通用水平的集成型壓力傳感器應用于多種用途。
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