摘要：隨著車(chē)輛中電子組件的增多和車(chē)內(nèi)環(huán)境日益復(fù)雜，汽車(chē)廠商對(duì)組件測(cè)試的要求也越來(lái)越高。本文旨在通過(guò)介紹汽車(chē)電子組件EMI抗擾性測(cè)試的各種方法，并概括了各種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，幫助測(cè)試工程師正確選擇最佳的測(cè)試方法。
引言
一直以來(lái)，電磁干擾(EMI)效應(yīng)是現(xiàn)代電子控制系統(tǒng)中備受關(guān)注的一個(gè)問(wèn)題。尤其在當(dāng)天的汽車(chē)產(chǎn)業(yè)中，車(chē)輛采用了一系列的車(chē)載電子模塊，例如引擎管理模塊、ABS系統(tǒng)、電子動(dòng)力方向盤(pán)功能模塊、車(chē)載娛樂(lè)系統(tǒng)和熱控制模塊。
同時(shí)，車(chē)輛所處的電磁環(huán)境也更加復(fù)雜。車(chē)載電子組件必須與車(chē)載射頻發(fā)射機(jī)共存，這些發(fā)射機(jī)部分安裝和設(shè)置得比較恰當(dāng)，比如在救護(hù)車(chē)中，有些卻并非如此，例如一些出廠后安裝的CB發(fā)射器和車(chē)載行動(dòng)電話。此外，車(chē)輛還可能進(jìn)入一些由于外部發(fā)射機(jī)產(chǎn)生的強(qiáng)電磁場(chǎng)區(qū)域，強(qiáng)度每米可達(dá)幾十甚至幾百伏特。在多年前汽車(chē)業(yè)就已意識(shí)到這些問(wèn)題，所有著名廠商也都已采取一定措施，透過(guò)制定汽車(chē)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和立法要求，力圖減少電磁干擾的影響。因此，今天的車(chē)輛對(duì)這種干擾都具備了較強(qiáng)的抵抗能力。但由于EMI對(duì)車(chē)載模塊的性能影響非常大，繼續(xù)對(duì)其保持警惕是有必要的。
車(chē)輛及其組件的測(cè)試是個(gè)高度專(zhuān)業(yè)的領(lǐng)域，一直以來(lái)是由廠商自己完成。在有些國(guó)家，許多車(chē)輛廠商會(huì)共同資助那些專(zhuān)業(yè)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)室。隨著車(chē)輛中使用的電子組件日益增多，汽車(chē)廠商將組件外包的趨勢(shì)也日趨明顯，因此，EMC測(cè)試開(kāi)始逐漸變成組件廠商的責(zé)任。
在諸如ISO 11452(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織)和SAE J1113(汽車(chē)工程師協(xié)會(huì))等汽車(chē)組件抗擾性測(cè)試國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的子章節(jié)中，都描述了頻率存在重疊的多種不同測(cè)試方法和測(cè)試等級(jí)。汽車(chē)組件測(cè)試在沒(méi)有任何更高的立法要求時(shí)，車(chē)輛廠商們就可以獨(dú)自在這些通用標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上制定其測(cè)試要求。
即當(dāng)某汽車(chē)廠商想為其組件供貨商制定組件等級(jí)的測(cè)試要求時(shí)，他可以從包含測(cè)試方法、測(cè)試頻率范圍和測(cè)試等級(jí)的清單上選擇合適的款項(xiàng)來(lái)構(gòu)成他自己的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。這樣，一個(gè)為多家汽車(chē)廠商提供子組件的廠家就有可能必須根據(jù)不同的標(biāo)準(zhǔn)，采用不同的方法，在同一個(gè)頻率范圍內(nèi)測(cè)試同樣的組件。
組件廠商可以采用一系列針對(duì)ISO 11452和SAE J1113中包含的RF測(cè)試規(guī)格而設(shè)計(jì)汽車(chē)組件測(cè)試系統(tǒng)來(lái)幫助完成工作，以滿(mǎn)足客戶(hù)的測(cè)試需求。這些測(cè)試系統(tǒng)主要有自含(self-contained)系統(tǒng)，遵循所有標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高等級(jí)測(cè)試規(guī)格。采用這樣的系統(tǒng)之后，組件廠商在對(duì)多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，用到的許多測(cè)試儀器都是相同的，因而能節(jié)省大量資金。以下我們將討論幾種RF測(cè)試方法和汽車(chē)廠商測(cè)試需求中所規(guī)定的一些測(cè)試參數(shù)，并探討組件廠商如何才能根據(jù)不同客戶(hù)的測(cè)試需求搭建一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)，達(dá)到只測(cè)試客戶(hù)需要的目的。
1. RF測(cè)試方法
要想測(cè)試一個(gè)汽車(chē)組件的RF抗擾性，必須透過(guò)一種與車(chē)內(nèi)干擾出現(xiàn)方式相當(dāng)?shù)姆绞较蚱涫┘覴F干擾。這就導(dǎo)入了第一個(gè)變量。汽車(chē)可能會(huì)暴露在一個(gè)外場(chǎng)中，或可能攜帶具有會(huì)產(chǎn)生干擾信號(hào)的發(fā)射機(jī)和天線，無(wú)論如何，干擾場(chǎng)都可以直接作用于組件所處的位置。例如，當(dāng)該組件安裝在開(kāi)放式區(qū)域，比如，儀表盤(pán)上或附近，它所產(chǎn)生的干擾就比當(dāng)它被安裝在車(chē)輛底盤(pán)附近或是在引擎箱內(nèi)這樣的屏蔽區(qū)時(shí)造成的危害要大得多。
另一方面，為了供電和信號(hào)連接的需要，所有電子模塊都連到車(chē)輛的配線系統(tǒng)。而配線裝置相當(dāng)于一個(gè)有效的天線，能夠與RF干擾耦合，因此，不論組件安裝在什么地方，RF電流都可能透過(guò)其接插件傳導(dǎo)到組件中。我們通常采用的測(cè)試方法有兩組：輻射干擾測(cè)試和傳導(dǎo)干擾測(cè)試。
1.1 輻射干擾測(cè)試
所有的輻射測(cè)試法都向被測(cè)裝置施加一個(gè)強(qiáng)度得到校準(zhǔn)的RF場(chǎng)，這樣，就能將RF電流和電壓導(dǎo)入裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，然后這些RF電流和電壓又會(huì)出現(xiàn)在主動(dòng)組件的感應(yīng)節(jié)點(diǎn)上，因而在電子線路中造成干擾。不同方法在施加RF場(chǎng)的方式上有所不同。
1.1.1暗室中的輻射天線測(cè)量法
最簡(jiǎn)單明了的產(chǎn)生RF場(chǎng)的方法就是向一個(gè)天線灌入能量，并將其指向被測(cè)設(shè)備(EUT)。天線能夠?qū)F能量轉(zhuǎn)化為一個(gè)輻射場(chǎng)，并使其充滿(mǎn)測(cè)試區(qū)域。由于需要在很寬的頻譜范圍內(nèi)產(chǎn)生高電平的RF信號(hào)，測(cè)試應(yīng)該在一個(gè)屏蔽室中進(jìn)行，避免與附近的其它合法無(wú)線電用戶(hù)相互干擾。但這會(huì)出現(xiàn)墻壁的反射，從而改變室內(nèi)的場(chǎng)分布。為解決這一問(wèn)題，需要對(duì)屏蔽室的表面進(jìn)行處理，創(chuàng)造一個(gè)‘吸波室(absorber lined chamber)’環(huán)境，這又會(huì)大大增加測(cè)試設(shè)備的成本。測(cè)試使用的天線在被測(cè)頻率范圍內(nèi)應(yīng)該具有較寬的頻率響應(yīng)。車(chē)輛測(cè)試中的測(cè)試頻率可能從10kHz到18GHz，因此需要許多種不同的類(lèi)型的天線。圖1是一種典型輻射裝置。
加在EUT上的場(chǎng)分布也要盡可能均勻，并且具有良好控制。測(cè)試時(shí)的場(chǎng)可能會(huì)影響屏蔽室的規(guī)格，因此天線不能離EUT太近，方向性也不能太強(qiáng)，避免產(chǎn)生的場(chǎng)只集中于EUT的某一個(gè)區(qū)域。天線和EUT距離過(guò)近還會(huì)導(dǎo)致二者互感增大，進(jìn)而影響了天線上所加信號(hào)的控制難度。被測(cè)對(duì)象的尺寸越大，這一要求就越難滿(mǎn)足。另外，根據(jù)公式P=(E*r)2/30W(當(dāng)天線具備單元增益時(shí))，天線離EUT越遠(yuǎn)，達(dá)到某個(gè)場(chǎng)強(qiáng)時(shí)需要的功率就越大。
注意，該公式給出的是場(chǎng)強(qiáng)和距離的平方率關(guān)系，即當(dāng)某個(gè)特定距離上的場(chǎng)強(qiáng)從10V/m增大到20V/m時(shí)，需要的功率是原來(lái)的4倍，或者說(shuō)當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)從10V/m增大到20V/m時(shí)，在特定功率下，距離只有原來(lái)的四分之一。EUT位置處的場(chǎng)強(qiáng)透過(guò)一個(gè)各向同性的寬頻場(chǎng)感應(yīng)器來(lái)測(cè)量，各向同性是為了保證感應(yīng)器對(duì)方向不感應(yīng)，而寬頻則是確保它在不同頻率下均能得到正確的測(cè)量值。
1.1.2 TEM單元法
根據(jù)ISO 11452-3和SAE J1113/24中的規(guī)定，橫電磁波（TEM）單元只是一段傳輸線，在其一端饋入一定的RF功率，并在另一端接一個(gè)負(fù)載阻抗。隨著電磁波在傳輸線中的傳播，導(dǎo)體間就建立起一個(gè)電磁場(chǎng)。TEM描述的是在這類(lèi)單元的作用區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的占主導(dǎo)地位的電磁場(chǎng)。當(dāng)傳輸線長(zhǎng)度給定時(shí)，在一定的區(qū)域內(nèi)，場(chǎng)強(qiáng)均勻，且易測(cè)量或運(yùn)算。EUT就放置在作用區(qū)域內(nèi)。
TEM單元一般以箱體形式存在，里面有一個(gè)隔離面，所以箱體的墻面作為傳輸線的一端，隔離面(或稱(chēng)隔膜，septum)作為另一端。TEM單元的幾何構(gòu)造對(duì)傳輸線的特性阻抗有決定性的影響。因?yàn)橄潴w是封閉的（除了很小的泄漏以外），單元外沒(méi)有電磁場(chǎng)，因此這種單元可以不加外屏蔽應(yīng)用于任何環(huán)境。
TEM單元的主要缺點(diǎn)是其存在頻率上限，這一上限頻率與其實(shí)體尺寸成反比(見(jiàn)表1)。當(dāng)頻率高于此上限時(shí)，其內(nèi)部電磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)中開(kāi)始出現(xiàn)高次模，場(chǎng)的均勻性，尤其是確切尺寸決定的諧振頻率處的場(chǎng)均勻性，也開(kāi)始變差。TEM單元能夠測(cè)量的最大EUT尺寸受其內(nèi)部可用的場(chǎng)強(qiáng)均勻區(qū)域體積的限制，因此最大EUT尺寸和該單元可測(cè)的最高頻率之間有著直接關(guān)系。TEM單元的最低測(cè)量頻率可到DC，這也是它與輻射天線測(cè)量法的不同之處。
1.1.3 帶狀線法和三平面法
這兩種方法與TEM單元法有本質(zhì)的區(qū)別。TEM單元法是一個(gè)封閉型測(cè)量方法，而帶狀線法和三平面法所采用的測(cè)試裝置則是開(kāi)放式傳輸線。也就是說(shuō)，在采用這兩種方法時(shí)，最大場(chǎng)雖然位于平面之間，但仍有能量輻射到外部，因此必須在一間屏蔽室內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。ISO 11452-5和SAE J1113/23中都對(duì)帶狀線測(cè)試有所描述，而三平面測(cè)試只在SAE J1113/25中提到。
在帶狀線測(cè)試中，被測(cè)組件模塊只暴露連接它與相關(guān)設(shè)備的電纜裝置，并不暴露在平面間的最大場(chǎng)強(qiáng)。帶狀線平面作為傳輸線的源導(dǎo)體，其下放置1.5m長(zhǎng)的電纜裝置，測(cè)試的參考地平面則作為另一端導(dǎo)體。帶狀線產(chǎn)生的場(chǎng)會(huì)在電纜裝置中感應(yīng)出縱向電流，然后進(jìn)入EUT耦合。因此，帶狀線測(cè)試幾乎算是輻射場(chǎng)測(cè)試和傳導(dǎo)測(cè)試這兩種方法的混合。
三平面測(cè)試裝置中，一個(gè)主動(dòng)內(nèi)導(dǎo)體夾在兩個(gè)外平面中間，產(chǎn)生可通過(guò)運(yùn)算得到的阻抗。被測(cè)模塊放置于一個(gè)外平面和中心導(dǎo)體之間，中心導(dǎo)體的另一面是置空。由于整個(gè)測(cè)試的結(jié)構(gòu)是對(duì)稱(chēng)的，因此可在這一面與EUT呈鏡像位置的地方放置一個(gè)場(chǎng)強(qiáng)探針。
和TEM單元測(cè)試一樣，帶狀線測(cè)試和三平面測(cè)試裝置均有一個(gè)受其尺寸限制的頻率上限。在等于或高于由該尺寸決定的諧振頻率時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生不受控制的電磁場(chǎng)高次模。這三種方法相對(duì)于輻射天線法的優(yōu)勢(shì)就在于，采用這三種方法時(shí)，只需要適當(dāng)?shù)墓β示湍軌虍a(chǎn)生比輻射天線法大得多的場(chǎng)強(qiáng)，因?yàn)閳?chǎng)強(qiáng)等于導(dǎo)體平面之間的電壓除以它們之間的距離。
1.2 傳導(dǎo)干擾測(cè)試
第二類(lèi)測(cè)試方法叫做傳導(dǎo)干擾測(cè)試，是直接將RF干擾施加在電纜裝置中，取代了在被測(cè)模塊放置之處施加電磁場(chǎng)。隨著RF電流在電路結(jié)構(gòu)(例如一塊印刷電路板PCB)中傳輸，組件模塊與外部裝置的連接處就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電流，在電子線路中造成干擾。盡管這種方法與輻射場(chǎng)測(cè)試法得出的結(jié)果類(lèi)似，但二者之間沒(méi)有任何等同之處，因此這兩種方法常用于進(jìn)行完整測(cè)試，有時(shí)兩種測(cè)試的頻率范圍還有重疊。
傳導(dǎo)干擾測(cè)試最常采用的兩種耦合方法，一是需要注入一個(gè)可控制其大小的干擾電流的電流注入法(bulk current injection，BCI)，二是注入一個(gè)可控制其大小的功率的直接注入法。
1.2.1 電流注入法(BCI)
采用BCI法時(shí)，將一個(gè)電流注入探針?lè)旁谶B接被測(cè)件的電纜裝置之上，然后向該探針加入RF干擾。此時(shí)，探針作為第一電流變換器，而電纜裝置作為第二電流變換器，因此，RF電流先在電纜裝置中以共模方式流過(guò)，即電流在裝置的所有導(dǎo)體上以同樣的方式流通，然后再進(jìn)入EUT的連接端口。
真正流過(guò)的電流由電流注入處裝置的共模阻抗決定，在低頻的情況下，這幾乎完全由EUT和電纜裝置另一端所連接的相關(guān)設(shè)備對(duì)地的阻抗決定。一旦電纜長(zhǎng)度達(dá)到四分之一波長(zhǎng)，阻抗的變化就十分重要，并且會(huì)降低測(cè)試的可重復(fù)性。
電流注入探針會(huì)帶來(lái)?yè)p耗，因而需要較大的驅(qū)動(dòng)能力才能在EUT上設(shè)立起合理的干擾源。盡管如此，BCI法還是有一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)，那就是其非侵入性，因?yàn)樘结樋梢院?jiǎn)單地夾在任何直徑不超過(guò)其最大可接受直徑的電纜上，而不需進(jìn)行任何直接的電纜導(dǎo)體連接，也不會(huì)影響電纜所連接的工作電路。
1.2.2 直接注入法
BCI法對(duì)驅(qū)動(dòng)能力要求過(guò)高，而且在測(cè)試過(guò)程中與相關(guān)設(shè)備的隔離也不好，直接注入法的目的就是克服BCI法的這兩個(gè)缺點(diǎn)。具體做法是將測(cè)試設(shè)備直接連接到EUT電纜上，透過(guò)一個(gè)寬頻人工網(wǎng)絡(luò)(Broadband Artificial Network，BAN)將RF功率注入EUT電纜，而不干擾EUT與其感應(yīng)器和負(fù)載的接口(見(jiàn)圖3)。
該BAN在測(cè)試頻率范圍內(nèi)RF阻抗可以控制。BAN在流向輔助設(shè)備的方向至少能夠提供500W的阻塞阻抗。干擾信號(hào)通過(guò)一個(gè)隔直電容器，直接耦合到被測(cè)線上。該方法在ISO 11452-7和SAE J1113/3中都有描述。
2. EMI測(cè)試的測(cè)試參數(shù)
在車(chē)輛組件的EMI測(cè)試中，根據(jù)不同車(chē)輛廠商所提出的不同要求，除了導(dǎo)入干擾信號(hào)的基本方法有所不同以外，還有許多參數(shù)也會(huì)有所不同。但不論RF干擾怎樣產(chǎn)生，這些參數(shù)都是相關(guān)的。
2.1頻率范圍
受測(cè)試方法本身及其所用變換器(transducer)的限制，上述的任一種方法都只適用于一個(gè)已定的頻率范圍。表2列出了本文中討論的各種方法在相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)中公布的適用頻率范圍。
測(cè)試過(guò)程中，通常需要使測(cè)試信號(hào)在整個(gè)頻率范圍內(nèi)掃描變化或步進(jìn)變化，測(cè)試的速度是很重要，因?yàn)镋UT必須對(duì)每個(gè)測(cè)試頻率都有相應(yīng)的反映。測(cè)試的最小滯留時(shí)間一般為2秒，如果EUT的時(shí)間常數(shù)較大，滯留時(shí)間可能更長(zhǎng)。如果采用軟件控制的測(cè)試信號(hào)發(fā)生器，那通常是采用步進(jìn)方式，而不是掃描過(guò)整個(gè)頻率范圍，因此還要定義頻率步進(jìn)的步長(zhǎng)。滯留時(shí)間和頻率步長(zhǎng)二者共同決定了執(zhí)行單次掃描所需花費(fèi)的時(shí)間，因而也決定了整個(gè)測(cè)試所需的時(shí)間。
2.2幅度控制
不論采用哪種測(cè)試方法，對(duì)施加在EUT上的測(cè)試信號(hào)幅度都必須小心控制。幅度控制的方法按照原理不同通?？煞譃閮深?lèi)，一類(lèi)叫閉環(huán)控制法，一類(lèi)叫開(kāi)環(huán)控制法。在帶狀線測(cè)試和TEM單元測(cè)試時(shí)，可以通過(guò)已知的凈輸入功率和傳輸線的參數(shù)來(lái)運(yùn)算得到施加的場(chǎng)。除了這兩種方法以外，都需要利用閉環(huán)法來(lái)實(shí)現(xiàn)幅度控制。在輻射干擾測(cè)試中，干擾信號(hào)的單位采用伏特/米(volts/meter)，在電流注入測(cè)試中，單位采用微安(milliamps)，在直接功率注入測(cè)試中，單位采用瓦特(watts)。
2.3閉環(huán)法
采用閉環(huán)控制法時(shí)，一個(gè)場(chǎng)強(qiáng)儀或電流監(jiān)控探針一直監(jiān)測(cè)著施加在EUT上的激勵(lì)，據(jù)此將功率調(diào)整到目標(biāo)值。該方法有一個(gè)弊端，在微波暗室中進(jìn)行輻射干擾測(cè)試時(shí)這一問(wèn)題尤其明顯。那就是EUT的介入打亂了干擾激勵(lì)的電磁場(chǎng)，從而找不到一個(gè)能夠正確反映出得到的場(chǎng)強(qiáng)，并對(duì)所有類(lèi)型EUT普遍適用的位置來(lái)放置場(chǎng)強(qiáng)儀。當(dāng)測(cè)試頻率使得EUT尺寸與波長(zhǎng)可以相比擬時(shí)，在某些位置上場(chǎng)的分布可能會(huì)出現(xiàn)大幅下降。如果場(chǎng)強(qiáng)儀剛好放置在這一位置上，那么據(jù)此場(chǎng)強(qiáng)儀的讀數(shù)來(lái)維持需要的電磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，勢(shì)必會(huì)在EUT附近的位置上造成嚴(yán)重的過(guò)測(cè)(over-testing)。
BCI測(cè)試中也存在類(lèi)似問(wèn)題，當(dāng)EUT的共模輸入阻抗與測(cè)試信號(hào)諧振時(shí)，要維持需要的電流就會(huì)造成過(guò)測(cè)(over-testing)。實(shí)際上，在這樣的環(huán)境下，許多時(shí)候放大器都無(wú)法提供維持規(guī)定電平所需的功率，而一旦放大器過(guò)載，還會(huì)造成更多的測(cè)試問(wèn)題。
2.4開(kāi)環(huán)法
采用開(kāi)環(huán)法（也叫做置換法）就能避開(kāi)上述問(wèn)題。采用開(kāi)環(huán)法時(shí)，首先將一個(gè)既定強(qiáng)度的信號(hào)送入測(cè)試設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)設(shè)置。在每個(gè)頻率上，放大器的輸出功率都受一個(gè)輔助功率計(jì)的監(jiān)控，當(dāng)放大器輸出電平達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，對(duì)其進(jìn)行記錄。最后，在真實(shí)測(cè)試時(shí)，再將這個(gè)預(yù)校準(zhǔn)的功率記錄進(jìn)行的重放?？偟膩?lái)說(shuō)，由于對(duì)施加在EUT上的場(chǎng)或電流(volts per meter或milliamps)的測(cè)量并不在測(cè)試的要求內(nèi)，因此開(kāi)環(huán)法并不測(cè)量它們，只是對(duì)其進(jìn)行監(jiān)控，以確認(rèn)系統(tǒng)工作正常。但由于上節(jié)所談到的原因，我們也不可能看到真正正確的測(cè)量值。
在輻射干擾測(cè)試中，校準(zhǔn)設(shè)置過(guò)程要求在EUT于微波暗室中將一臺(tái)場(chǎng)強(qiáng)儀放置在一準(zhǔn)確位置上。而在傳導(dǎo)干擾測(cè)試中，校準(zhǔn)設(shè)備是一個(gè)具有特定阻抗值的負(fù)載，我們?cè)谄鋬啥藴y(cè)量輸出功率或電流。
開(kāi)環(huán)法所用到的功率參數(shù)包括凈功率，或者輸入變換器的前向功率和變換器反射回來(lái)的反向功率之差。假設(shè)在沒(méi)有其它重大損耗時(shí)，這個(gè)差值就等于實(shí)際送入EUT的功率。因此，在采用定向耦合器時(shí)，必須在每個(gè)頻率上測(cè)量?jī)蓚€(gè)功率。這時(shí)，可以利用一臺(tái)功率計(jì)分別對(duì)耦合器的前向輸出和反向輸出順序測(cè)量，也可以利用兩臺(tái)功率計(jì)同時(shí)測(cè)量。
凈功率用于說(shuō)明變換器的電壓駐波比(VSWR)，當(dāng)導(dǎo)入EUT時(shí)VSWR會(huì)發(fā)生變化。但當(dāng)EUT與測(cè)試裝置匹配時(shí)，要保持凈功率所需的前向功率相對(duì)于校準(zhǔn)所需的功率可能有較大變化。為避免過(guò)測(cè)，保持所需凈功率而增大的前向功率不能超過(guò)2dB，即使2dB還不能滿(mǎn)足要求，也不應(yīng)繼續(xù)增大，而只能將此記錄在測(cè)試報(bào)告中。
2.5調(diào)制頻率和調(diào)制深度
所有的RF抗擾性測(cè)試都需要在每個(gè)頻率上對(duì)EUT施加CW(未調(diào)連續(xù)波)和已調(diào)AM信號(hào)，而EUT的響應(yīng)通常更易受被調(diào)干擾影響。一般情況下，測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中所規(guī)定的調(diào)變信號(hào)都是調(diào)制深度為80%，頻率為1kHz的正弦波。但也有個(gè)別的車(chē)輛廠商可能會(huì)有不同的要求。定義調(diào)制參數(shù)的目的是為AM和CW測(cè)試規(guī)定一個(gè)恒定的峰值電平。這一點(diǎn)與商用(IEC 61000-4系列)RF抗擾性測(cè)試不同。在商用RF抗擾性測(cè)試中，調(diào)制信號(hào)的峰值功率比未調(diào)信號(hào)高5.3dB。而在峰值電平恒定的測(cè)試中調(diào)制深度為80%的已調(diào)信號(hào)功率只有未調(diào)信號(hào)功率的0.407倍。
ISO 11452中清楚地定義了這種信號(hào)的施加過(guò)程：
1.在每一頻率上，線性或?qū)?shù)增大信號(hào)強(qiáng)度直到信號(hào)強(qiáng)度達(dá)到測(cè)試要求(對(duì)開(kāi)環(huán)法指凈功率滿(mǎn)足要求，對(duì)閉環(huán)法則指測(cè)試信號(hào)的電平滿(mǎn)足要求)，根據(jù)+2dB標(biāo)準(zhǔn)監(jiān)測(cè)前向功率；
2.按要求施加已調(diào)信號(hào)，并使測(cè)試信號(hào)保持時(shí)間等于EUT最小響應(yīng)時(shí)間；
3.在進(jìn)行下一個(gè)頻率的測(cè)試前，應(yīng)緩慢降低測(cè)試信號(hào)強(qiáng)度。
2.6監(jiān)測(cè)EUT
在施加干擾信號(hào)時(shí)，必須監(jiān)測(cè)EUT的響應(yīng)，并與其應(yīng)達(dá)到的性能標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，以確定被測(cè)件是否通過(guò)測(cè)試。由于每個(gè)EUT有不同的功能和滿(mǎn)足的性能標(biāo)準(zhǔn)也不相同，因此在此不可能對(duì)這些監(jiān)控方法進(jìn)行概括。但如果測(cè)試軟件能夠自動(dòng)完成部份或全部監(jiān)測(cè)工作，那么整個(gè)測(cè)試就會(huì)更簡(jiǎn)單、更可靠。在這過(guò)程中可能只需簡(jiǎn)單地測(cè)量和記錄每個(gè)頻率點(diǎn)上的輸出電壓，也可能涉及一些能夠在測(cè)試發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤時(shí)給出標(biāo)記的特殊EUT軟件。
2.7報(bào)告測(cè)試結(jié)果
在測(cè)試完成，EUT的響應(yīng)也觀測(cè)完畢后，測(cè)試工程師的工作還只完成了一半。工程師們還必須按照車(chē)輛廠商所規(guī)定的格式制作測(cè)試報(bào)告。一個(gè)組件廠商可能為多個(gè)車(chē)輛廠商提供產(chǎn)品，因此對(duì)同一組測(cè)試結(jié)果，組件廠商可能需要提交多種格式的測(cè)試報(bào)告。
有些軟件包中包含可選的報(bào)告生成模塊，能夠?yàn)椴煌能?chē)輛廠商定制的各自標(biāo)準(zhǔn)報(bào)告模板。所有測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的經(jīng)理都清楚為為客戶(hù)提供測(cè)試報(bào)告是一項(xiàng)最困難的任務(wù)，盡管大家都很享受測(cè)試過(guò)程，卻很少有人喜歡撰寫(xiě)測(cè)試報(bào)告。有了自動(dòng)報(bào)告生成軟件模塊，不但測(cè)試工程師們免去了負(fù)責(zé)撰寫(xiě)測(cè)試報(bào)告的苦差，同時(shí)也能更快實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)足客戶(hù)的要求。
雖然汽車(chē)產(chǎn)業(yè)中的組件EMC測(cè)試中含有許多可變參數(shù)，但仍可以高效地完成針對(duì)不同車(chē)輛廠商的覆蓋很寬頻率范圍的測(cè)試。
（轉(zhuǎn)載）
