2008 年 9 月 26 日—Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號： VSH）今天宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具有頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管 --- SkyFET? SiE726DF，該器件可在具有強迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高效能的運作。新型SkyFET? SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK?封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。
新型SiE726DF在10V柵極驅(qū)動時，具有極低的導(dǎo)通電阻，最大為0.0024?（在4.5V驅(qū)動時，最大為0.0033?）；且在無散熱片的情況下，能夠處理的電流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%，并為服務(wù)器和通信系統(tǒng)中的高電流直流 --- 直流轉(zhuǎn)換器的同步整流低端控制開關(guān)、VRM運用、顯卡和負(fù)載點等應(yīng)用進行了優(yōu)化。該器件的典型柵極電荷為50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能夠提供良好的擊穿保護。
集成了MOSFET和肖特基二極管的SiE726DF具有的Qrr為30nC，VSD 為0.37V，兩者均比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低50%以上；且因為寄生器件減少和MOSFET體二極管相關(guān)的功率損耗降低，效率也得到了提高。而且隨著開關(guān)頻率的升高，器件的功率損耗則會越來越顯著的減少。此外，取消外接肖特基二極管不僅可在降低成本的同時，更令設(shè)計人員創(chuàng)造出更小、更簡潔的電路設(shè)計。
Vishay 的 PolarPAK封裝提供的雙面冷卻功能在高電流運用領(lǐng)域表現(xiàn)出理想的散熱性能，這使器件能夠在更低結(jié)溫下運作 --- 頂部熱阻為1°C/W，底盤熱阻為1°C/W。這種封裝除簡化生產(chǎn)外，基于引線框架的密封設(shè)計因芯片密封，同樣提供了保護和可靠性。無論芯片大小，該器件提供相同的布局布線，簡化PCB設(shè)計，且100%通過Rg 和 UIS 測試。
目前，可提供SiE726DF的樣品與量產(chǎn)批量，大宗訂單的的供貨周期為 10 至14 周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。
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