問:雙模手機的發(fā)展趨勢對射頻前端芯片提出了哪些新要求？
答:雙模GSM采用兩套基帶+兩套射頻,或者一套基帶+兩套射頻的結構,這兩種方式不會射頻方案產(chǎn)生新的要求。GSMCDMA2000雙模手機面對漫游市場,主要是滿足到韓國、日本漫游的需求。由于除了韓國、日本,其他地區(qū)有CDMA2000網(wǎng)絡的地區(qū)或國家也都有GSM網(wǎng)絡,因此這種雙模手機的量不會太多?，F(xiàn)在雙模手機最明顯的趨勢GSM或者EDGE/WCDMA雙模,比如3頻的WCDMA+4頻的GSM/EDGE。目前,我們已針對這些高端應用提供4頻的產(chǎn)品。這樣的PA可以是在一個封裝中集成一個裸片(die)或者兩個裸片,但一般是在一個封裝中有兩個裸片中,因為如果放一個裸片中,某能頻帶的效率不太好。因此,集成兩個裸片的封裝更常見。比如,將850MHz和900MHz的PA功能塊放在一個裸片中,而1800MHz和1900MHz的PA功能塊放在一個另一個裸片中。
問:手機射頻芯片將采用什么樣的集成方式？
答:在射頻集成趨勢方面,我們看到有客戶要求針對雙模應用將同樣頻率的PA和其他射頻器件放在一個封裝內(nèi)(橫向集成),而是將不同頻率的PA封裝在一起(縱向集成)。比如,將PA、雙工器和RF濾波器集成在一起。這樣做的好處是可以降低面積和成本。但射頻開關的集成方式則不同,射頻開關可能會在GSM端與PA集成。比如在GSM端采用PA+7個或者8、9個端口開關模塊,而WCDMA端PA的輸出則接到GSM PA+開關模塊,通過GSM的開關接到天線。
問:這種集成方式對制造工藝帶來什么樣的挑戰(zhàn)？
答:PA、射頻開關等成工藝要求不同,PA一般采用砷化鎵(GaAs) HBT雙極晶體管,而開關要求很高的線性度,一般采用GaAs pHEMT工藝。這兩個工藝可以在同一個工廠做,但很難在一個芯片中做得很好。我們最近提供的一個新流程,可以把兩個工藝流程很好地在一個芯片上實現(xiàn)。以后可能會將PA和開關集成在一個芯片上,但目前還是將兩者分開更好些。
TriQuint半導體公司亞洲銷售總監(jiān)Richard Lin在2008 IIC China期間的新聞發(fā)布會上。
問:TriQuint公司目前在開發(fā)哪些新的射頻工藝？
答:TriQuint公司一直注重射頻工藝的開發(fā),在砷化鎵工藝方面處于業(yè)界領先地位。此外,該公司還在開發(fā)其他適合更廣范圍射頻應用的工藝,比如高電壓砷化鎵工藝(可制造100V PA)、氮化鎵。氮化鎵針對軍品應用,目前基站產(chǎn)品多采用LDMOS工藝,但將高電壓砷化鎵工藝在基站應用上將更有競爭力。最近,TriQuint公司還為設計和制造高性價比高頻毫米波產(chǎn)品而推出了最高性能工藝技術TQP13-N。TQP13-N采用了專利的半導體技術,利用柵極光刻工藝取代了傳統(tǒng)的電子束,能夠大大降低當前毫米波技術的成本。
問:TriQuint是否有針對TD-SCDMA應用的產(chǎn)品？
答:我們的TD-SCDMA的產(chǎn)品還沒有正式發(fā)布,但已有一些產(chǎn)品在TD-SCDMA基站上使用。在這個領域中,仍是基站用射頻產(chǎn)品先出來,然后是手機用射頻產(chǎn)品。實際上,我們還針對WiMAX和WiFi提供射頻產(chǎn)品,包括濾波器和PA。目前已成為主要芯片制造商使用的WiFi前端模塊(EFM)的關鍵供應商。由于我們的新前端模塊將所有的關鍵器件功能都集成到了一片芯片中,所以減小了MIMO系統(tǒng)的尺寸,增強了性能。WiMAX市場沒有那么快起來,但射頻方案會提供準備好。
問:能談一下TriQuint與其他射頻方案提供商的最大不同點嗎？
答:可以用一句話來歸納,即TriQuint只做射頻專家,而不是手機方案專家、天線模塊專家。我們專注針對手機、基站、寬帶、軍事,以及GPS、電視等市場提供全方位的射頻方案,包括無源器件、PA,開關、SAW濾波器,而不是僅做PA或者僅做射頻開關等。我們也不做基于硅的收發(fā)器,因為在手機方案上,已有強大的公司在提供非常好的方案。正因為我們將精力集中在射頻方案上,所以我們能又快又好地提供模塊化和集成化射頻方案。以手機市場為例,雖然我們進入該市場比較晚,但這幾年在手機市場的增長率是最快的。
（電子工程專輯）
