三菱電機（Mitsubishi Electric）日前新推出第五代L1系列智能功率模塊，其將硅片溫度傳感器設(shè)置在IGBT硅片正中央處，實現(xiàn)了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBT硅片技術(shù)，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優(yōu)化的VCE與Eoff折衷曲線。L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外，L1系列IPM還首次開發(fā)了25A/1200V和50A/600V的小封裝產(chǎn)品以滿足客戶節(jié)約成本的需求。
三菱電機早在1992年用IGBT作為功率開關(guān)器件集成最早的智能功率模塊。其IPM不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動電路集成在一起，而且還內(nèi)藏有欠電壓、過電流和過熱等故障檢測電路，并可將故障檢測信號輸出到控制單元。三菱電機的IPM具有體積小、開關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強、無須防靜電措施等優(yōu)點，大大縮短了客戶項目開發(fā)周期。
三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業(yè)部長谷口豐聰先生說：“近年來，電力電子技術(shù)正朝大容量、高頻化、模塊化及智能化的方向迅速發(fā)展，以提高裝置的功率密度，降低噪音，減小能耗和原材料消耗。三菱電機在這種趨勢下，推出第五代智能功率模塊L1系列IPM，協(xié)助客戶提高產(chǎn)品性能和系統(tǒng)可靠性。”
三菱電機的IPM以其高可靠性尤其適合于電機驅(qū)動用的變頻器和伺服驅(qū)動器等。
三菱電機將攜同最新推出的第五代智能功率模塊L1系列IPM，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行的2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為客戶演示工業(yè)應(yīng)用中的新型功率器件。三菱電機在展會期間，將現(xiàn)場滾動講解各技術(shù)方案及其應(yīng)用。
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