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IBM開發(fā)新型半導體材料 閃存速度將提高500倍

2025China.cn   2006年12月13日
  IBM和兩家合作伙伴的科學家已經(jīng)開發(fā)出一種新型材料,他們認為這將催生新型的內(nèi)存芯片,滿足日益增長的存儲數(shù)字音樂、圖像、視頻的需求。
  本周一,IBM以及Qimonda和Macronix的研究人員將在國際電子設備會議上宣讀闡述這一技術的論文。
  研究人員已經(jīng)利用生產(chǎn)CD、DVD等的材料研制出了一種半導體合金。

  IBM、Qimonda、Macronix并非在研制閃存替代品的唯一機構,英特爾和意法半導體也在聯(lián)合研發(fā)相關技術。
  三星推出了容量為512兆位的原型產(chǎn)品,并計劃在2008年推出商業(yè)性產(chǎn)品;英特爾已經(jīng)展示了128兆位的原型產(chǎn)品,并計劃在2007年推出產(chǎn)品。
  IBM的科學家說,他們的技術具有重要意義,因為與其它廠商在原型產(chǎn)品中使用的材料相比,他們的新材料具有性能優(yōu)勢。如果這一技術的制造成本足夠低,它將在186億美元的閃存市場上催生一個新的競爭對手。
  IBM表示,盡管已經(jīng)退出了內(nèi)存制造業(yè)務,它對能夠改進企業(yè)計算體驗的技術非常感興趣。更快的非易失性內(nèi)存能夠改變IBM的微處理器設計,提高基本操作的速度。

  據(jù)IBM Almaden Research Center的高級經(jīng)理Spike Narayan說,新的內(nèi)存技術可能被添加到未來一代的IBM Power PC微處理器中。
  據(jù)科研人員稱,這種新材料的優(yōu)點是,由它制成的開關的速度比目前的閃存芯片快500倍。他們開發(fā)成的原型開關只有3納米高、20納米寬,這使得該技術的尺寸能夠被進一步縮小。
  目前的閃存芯片的存儲容量達到了320億兆位,但是,閃存芯片廠商要想繼續(xù)縮小芯片尺寸會遇到更多的問題。
  業(yè)界官員表示,在目前的半導體技術似乎“山窮水盡”之際,這種新材料會刺激計算機和消費電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

(轉(zhuǎn)載)

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